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可以用負膠做掩�？涛g氮化硅嗎？
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目的：在硅片上刻蝕結(jié)構(gòu)。 方法：先在硅片上鍍一層氮化硅，用作硅刻蝕的硬掩模。在氮化硅上刻蝕結(jié)構(gòu)時，使用光刻膠做掩模。我選用了SU-8光刻膠，但是涂膠的時候SU-8在片子上很難鋪展開，而且很容易聚集成一塊。請問有人遇到類似的情況嗎？刻蝕氮化硅能用負膠做掩模嗎？謝謝大家了~ |
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SU8甩不開，是因為你選的型號膠太厚了。要知道不同型號的SU8厚度差上百倍~~ 建議選一種幾微米的光刻膠，做實驗其實選正膠更方便的，比如AZ1500（3~4微米）。曝光后用CHF3氣體RIE刻蝕將圖形傳遞到氮化硅膜層上，一定要保證完全刻穿。氮化硅厚度應(yīng)該是只有幾百納米到一兩個微米吧？然后換SF6+O2混合氣體刻硅至你想要的深度。 我實驗室有磁控濺射、電子束蒸鍍、LPCVD，可以鍍Cr、Al2O3、Si、SiO2、Si3N4等。 聯(lián)系電話：15108299816趙工 郵箱：zyy44138172@126.com |
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