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zhxbaig金蟲 (小有名氣)
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[求助]
關(guān)于分子在表面模擬的若干問題
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假設(shè)CO2分子在Ni(110)表面的吸附模擬,希望能夠回答以下幾個(gè)問題: 1 CO2在與Ni(110)表面之間的距離怎么確定?是隨便選擇一個(gè)距離,還是有其具體值? 2 添加CO2分子的時(shí)候,需要將其鍵修改成雙鍵或者離域鍵,又或者直接加上不用修改(在materials studio的castep練習(xí)中,在模擬CO在Pt表面的吸附時(shí),直接加了C和O原子,沒有改變其鍵的種類)? 3在構(gòu)型優(yōu)化中,是把優(yōu)化后的CO2分子放在優(yōu)化后的Ni表面,還是將未優(yōu)化的CO2放在未優(yōu)化的Ni表面,然后優(yōu)化? 4 在優(yōu)化時(shí),對(duì)稱操作的作用意義在哪里? 還望各位多多交流,小弟不甚感激! |
第一性原理 |
金蟲 (正式寫手)
木蟲 (知名作家)
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假設(shè)CO2分子在Ni(110)表面的吸附模擬,希望能夠回答以下幾個(gè)問題: 1 CO2在與Ni(110)表面之間的距離怎么確定?是隨便選擇一個(gè)距離,還是有其具體值? 這個(gè)只能大致估計(jì),CO2以分子態(tài)吸附,比較弱,吸附原子與表面原子間距可考慮為范德華半徑和;注意各種可能吸附構(gòu)型!如果一別C=O鍵打開后吸附,距離可能稍短點(diǎn); 2 添加CO2分子的時(shí)候,需要將其鍵修改成雙鍵或者離域鍵,又或者直接加上不用修改(在materials studio的castep練習(xí)中,在模擬CO在Pt表面的吸附時(shí),直接加了C和O原子,沒有改變其鍵的種類)? 這個(gè)不重要,距離是關(guān)鍵; 3在構(gòu)型優(yōu)化中,是把優(yōu)化后的CO2分子放在優(yōu)化后的Ni表面,還是將未優(yōu)化的CO2放在未優(yōu)化的Ni表面,然后優(yōu)化? 都可以。一般先優(yōu)化表面,在放吸附物優(yōu)化,順帶考察吸附對(duì)表面的影響; 4 在優(yōu)化時(shí),對(duì)稱操作的作用意義在哪里? 省時(shí)間+你自己想要的構(gòu)型 |
新蟲 (初入文壇)
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第一,二氧化碳與鎳之間有一個(gè)大概距離可以在文獻(xiàn)里查到,用這個(gè)距離在優(yōu)化是比較快,而且分子不容易變形。 第二,我個(gè)人認(rèn)為這個(gè)不需要修改,直接加就可以了。 第三,我一般在優(yōu)化的時(shí)候,都是先加后優(yōu)化,不過你也可以,先優(yōu)化,再加,在優(yōu)化 。 第四,在優(yōu)化時(shí)對(duì)稱操作可以使分子更快的找到能量最低點(diǎn),達(dá)到穩(wěn)定結(jié)構(gòu),節(jié)約時(shí)間。 以上是我自己的看法,如有不對(duì)還望各位斧正。 |
木蟲 (小有名氣)
sherry

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