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[圖書]半導(dǎo)體薄膜技術(shù)與物理
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書 名: 半導(dǎo)體薄膜技術(shù)與物理 作 者：葉志鎮(zhèn) 呂斌 出版社： 浙江大學(xué)出版社 出版時(shí)間： 2008年09月 ISBN: 9787308066174 開本： 16開 定價(jià): 36.00 元 編輯本段內(nèi)容簡(jiǎn)介 《半導(dǎo)體薄膜技術(shù)與物理》全面系統(tǒng)地介紹了半導(dǎo)體薄膜的各種制備技術(shù)及其相關(guān)的物理基礎(chǔ)。全書共分十章。第一章概述了真空技術(shù)，第二至第八章分別介紹了蒸發(fā)、濺射、化學(xué)氣相沉積、脈沖激光沉積、分子束外延、液相外延、濕化學(xué)合成等各種半導(dǎo)體薄膜的沉積技術(shù)，第九章介紹了半導(dǎo)體超晶格、量子阱的基本概念和理論，第十章介紹了典型薄膜半導(dǎo)體器件的制備技術(shù)。 《半導(dǎo)體薄膜技術(shù)與物理》文字?jǐn)⑹錾狭η笞龅缴钊霚\出，內(nèi)容上深度和寬度相結(jié)合，理論和實(shí)踐相結(jié)合，以半導(dǎo)體薄膜技術(shù)為重點(diǎn)，結(jié)合半導(dǎo)體材料和器件的性能介紹，同時(shí)還介紹了半導(dǎo)體薄膜技術(shù)與物理領(lǐng)域的新概念、新進(jìn)展、新成果和新技術(shù)�！栋雽�(dǎo)體薄膜技術(shù)與物理》具有內(nèi)容翔實(shí)、概念清楚、圖文并茂的特點(diǎn)。 《半導(dǎo)體薄膜技術(shù)與物理》讀者對(duì)象廣泛，可作為高等院校材料、物理、電子、化學(xué)等學(xué)科的研究生或高年級(jí)本科生的半導(dǎo)體薄膜技術(shù)課程的教材，也可作為從事半導(dǎo)體材料、薄膜材料、光電器件等領(lǐng)域的科研人員、工程技術(shù)人員的參考書籍。 編輯本段作者簡(jiǎn)介 葉志鎮(zhèn)，男，1955年5月生于浙江溫州。1987年獲浙江大學(xué)光儀系工學(xué)博士學(xué)位；畢業(yè)后留校工作，1990～1992年留學(xué)美國(guó)麻省理工學(xué)院（MIT）；1994年晉升為教授；1996年選為博導(dǎo)�，F(xiàn)為浙江大學(xué)材料與化學(xué)工程學(xué)院副院長(zhǎng)、浙江大學(xué)納米中心主任。 1988年進(jìn)入浙江大學(xué)材料系，在硅材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室一直從事半導(dǎo)體薄膜教學(xué)科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制備、物性調(diào)控及光電應(yīng)用；納米薄層材料高真空CVD技術(shù)研發(fā)及應(yīng)用。現(xiàn)兼任國(guó)家自然科學(xué)基金委信息科學(xué)部評(píng)審組成員，全國(guó)電子材料專委副主任，全國(guó)半導(dǎo)體與集成技術(shù)、半導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體物理專委委員等。 編輯本段圖書目錄 第1章 真空技術(shù) 第2章 蒸發(fā)技術(shù) 第3章 濺射技術(shù) 第4章 化學(xué)氣相沉積 第5章 脈沖激光沉積 第6章 分子束外延 第7章 液相外延 第8章 濕化學(xué)制備方法 第9章 半導(dǎo)體超晶格和量子阱 第10章 半導(dǎo)體器件制備技術(shù) 參考文獻(xiàn) …… |
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