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清清116新蟲 (初入文壇)
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[求助]
u盤的存儲(chǔ)介質(zhì)是什么材料的
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求助： 就是咱們通常用的u盤，閃存芯片，主要是什么材料，有沒(méi)有基本參數(shù)呢？ |
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wxjabc 
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9樓2011-09-21 09:42:39
pppp1296
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2樓2011-09-20 23:48:53
hxyue
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【答案】應(yīng)助回帖
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zhaohaixing(金幣+2): 謝謝參與~ 2011-09-21 08:55:31
zhaohaixing(金幣+2): 謝謝參與~ 2011-09-21 08:55:31
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網(wǎng)上很多呀 閃存芯片的性能參數(shù) ●采用3. 3V電源; ●芯片內(nèi)部的存儲(chǔ)單元陣列為(256M +8. 192M) bit ×8bit , 數(shù)據(jù)寄存器和緩沖存儲(chǔ)器均為(2k + 64) bit ×8bit ; ●具有指令/ 地址/ 數(shù)據(jù)復(fù)用的I/ O 口; ●在電源轉(zhuǎn)換過(guò)程中, 其編程和擦除指令均可暫停; ●由于采用可靠的CMOS 移動(dòng)門技術(shù), 使得芯片最大可實(shí)現(xiàn)100kB 編程/ 擦除循環(huán),該技術(shù)可以保證數(shù)據(jù)保存10 年而不丟失。 閃存芯片的引腳說(shuō)明 I/ O0～I(xiàn)/ O7 :數(shù)據(jù)輸入輸出口, I/ O 口常用于指令和地址的輸入以及數(shù)據(jù)的輸入/ 輸出,其中數(shù)據(jù)在 讀的過(guò)程中輸入。當(dāng)芯片沒(méi)有被選中或不能輸出時(shí), I/ O 口處于高阻態(tài)�！ LE:指令鎖存端,用于激活指令到指令寄存器的路徑, 并在WE上升沿且CLE 為高電平時(shí)將指令鎖存�！ LE: 地址鎖存端, 用于激活地址到內(nèi)部地址寄存器的路徑,并在WE 上升沿且ALE 為高電平時(shí),地址鎖存�！ E: 片選端, 用于控制設(shè)備的選擇。當(dāng)設(shè)備忙時(shí), CE 為高電平而被忽略, 此時(shí)設(shè)備不能回到備用狀態(tài)�！ E: 讀使能端,用于控制數(shù)據(jù)的連續(xù)輸出,并將數(shù)據(jù)送到I/ O 總線。只有在RE的下降沿時(shí),輸出數(shù)據(jù)才有效, 同時(shí), 它還可以對(duì)內(nèi)部數(shù)據(jù)地址進(jìn)行累加�！ E: 寫使能控制端, 用于控制I/ O 口的指令寫入,同時(shí),通過(guò)該端口可以在WE脈沖的上升沿將指令、地址和數(shù)據(jù)進(jìn)行鎖存�！ P: 寫保護(hù)端, 通過(guò)WP 端可在電源變換中進(jìn)行寫保護(hù)。當(dāng)WP 為低電平時(shí),其內(nèi)部高電平發(fā)生器將復(fù)位�！ / B : 就緒/ 忙輸出, R/ B 的輸出能夠顯示設(shè)備的操作狀態(tài)。R/ B 處于低電平時(shí),表示有編程、擦除或隨機(jī)讀操作正在進(jìn)行。操作完成后, R/ B 會(huì)自動(dòng)返回高電平。由于該端是漏極開路輸出, 所以即使當(dāng)芯片沒(méi)有被選中或輸出被禁止時(shí), 它也不會(huì)處于高阻態(tài)�！ RE:通電讀操作,用于控制通電時(shí)的自動(dòng)讀操作,PRE 端接到VCC可實(shí)現(xiàn)通電自動(dòng)讀操作�！ 馰CC :芯片電源端�！ 馰SS :芯片接地端�！ 馧C:懸空。 閃存芯片的工作狀態(tài) 1 按頁(yè)讀操作 閃存芯片的默認(rèn)狀態(tài)為讀狀態(tài)。讀操作是以通過(guò)4 個(gè)地址周期將00h 地址寫到指令寄存器為開始指令,一旦該指令被鎖存,就不能在下頁(yè)中寫入讀操作了�！ 】梢酝ㄟ^(guò)寫入隨機(jī)數(shù)據(jù)輸出指令來(lái)從一頁(yè)中隨機(jī)地輸出數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)地址可以從將要輸出的數(shù)據(jù)地址中通過(guò)隨機(jī)輸出指令自動(dòng)找到下一個(gè)地址。隨機(jī)數(shù)據(jù)輸出操作可以多次使用�！ �2 頁(yè)編程 閃存芯片的編程是按頁(yè)進(jìn)行的, 但它在單頁(yè)編程周期中支持多個(gè)部分頁(yè)編程, 而部分頁(yè)的連續(xù)字節(jié)數(shù)為2112。寫入頁(yè)編程確認(rèn)指令(10h) 即可開始編程操作,但寫入指令(10h) 前還必須輸入連續(xù)數(shù)據(jù)�！ ∵B續(xù)裝載數(shù)據(jù)在寫入連續(xù)數(shù)據(jù)輸入指令(80h)后,將開始4 個(gè)周期的地址輸入和數(shù)據(jù)裝載,而字卻不同于編程的數(shù)據(jù), 它不需要裝載。芯片支持在頁(yè)中隨機(jī)輸入數(shù)據(jù),并可根據(jù)隨機(jī)數(shù)據(jù)輸入指令(85h)自動(dòng)變換地址。隨機(jī)數(shù)據(jù)輸入也可以多次使用�！ �3 緩存編程 緩存編程是頁(yè)編程的一種, 可以由2112 字節(jié)的數(shù)據(jù)寄存器執(zhí)行, 并只在一個(gè)塊中有效。因?yàn)殚W存芯片有一頁(yè)緩存, 所以當(dāng)數(shù)據(jù)寄存器被編入記憶單元中時(shí)它便可以執(zhí)行連續(xù)數(shù)據(jù)輸入。緩存編程只有在未完成的編程周期結(jié)束且數(shù)據(jù)寄存器從緩存中傳數(shù)后才能開始。通過(guò)R/ B 腳可以判斷內(nèi)部編程是否完成。如果系統(tǒng)只用R/ B 來(lái)監(jiān)控程序的進(jìn)程,那么,最后一頁(yè)目標(biāo)程序的次序則必須由當(dāng)前頁(yè)編程指令來(lái)安排�！ �4 存儲(chǔ)單元復(fù)錄 該功能可以快速有效地改寫一頁(yè)中的數(shù)據(jù)而不需要訪問(wèn)外部存儲(chǔ)器。因?yàn)橄脑谶B續(xù)訪問(wèn)和重新裝載上的時(shí)間被縮短, 因而系統(tǒng)的執(zhí)行能力會(huì)提高。尤其當(dāng)塊的一部分被升級(jí)而剩下的部分需要復(fù)制到新的塊中去時(shí), 它的優(yōu)勢(shì)就明顯顯示出來(lái)了。該操作是一個(gè)連續(xù)執(zhí)行的讀指令, 但不用連續(xù)地到目的地址訪問(wèn)和復(fù)制程序。一個(gè)原始頁(yè)地址指令為“35h" 的讀操作, 就可以把整個(gè)2112 字節(jié)的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移到內(nèi)部數(shù)據(jù)緩沖器中。當(dāng)芯片返回就緒狀態(tài)時(shí),帶有目的地址循環(huán)的頁(yè)復(fù)制數(shù)據(jù)輸入指令就會(huì)寫入。而該操作中的錯(cuò)誤程序會(huì)由“通過(guò)/ 失敗”狀態(tài)給出。但是,如果該操作的運(yùn)行時(shí)間過(guò)長(zhǎng),將會(huì)由于數(shù)據(jù)丟失而引起位操作錯(cuò)誤,從而導(dǎo)致外部錯(cuò)誤“檢查/ 糾正”設(shè)備檢查失效。由于這個(gè)原因, 該操作應(yīng)使用兩位錯(cuò)誤糾正。 5 塊擦除 閃存芯片的擦除操作是以塊為基礎(chǔ)進(jìn)行的。塊地址裝載將從一個(gè)塊擦除指令開始, 并在兩個(gè)循環(huán)內(nèi)完成。實(shí)際上, 當(dāng)?shù)刂肪�A12～A17 懸空時(shí),只有地址線A18～A28 可用。裝入擦除確認(rèn)指令和塊地址即可開始擦除。該操作必須按此順序進(jìn)行, 以免存儲(chǔ)器中的內(nèi)容受到外部噪聲的影響而出現(xiàn)擦除錯(cuò)誤�！ �6 讀狀態(tài) 閃存芯片內(nèi)的狀態(tài)寄存器可以確認(rèn)編程和擦除操作是否成功完成。在寫入指令(70h) 到指令寄存器后, 讀循環(huán)會(huì)把狀態(tài)寄存器的內(nèi)容在CE或RE 的下降沿輸出到I/ O。而在新的指令到達(dá)前, 指令寄存器將保持讀狀態(tài), 因此如果狀態(tài)寄存器在一個(gè)隨機(jī)讀循環(huán)中處于讀狀態(tài), 那么在讀循環(huán)開始前應(yīng)給出一個(gè)讀指令。 |
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清清116
3樓2011-09-21 08:45:45
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