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defect states 與電子密度
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在很多文章中看到，計(jì)算得到的pdos中有defects state，然后作者能把這個defect state映射到電荷密度分布度（如圖，圖1是計(jì)算得到的pdos， 有一個defect state，圖2中把對應(yīng)這個defect state的電荷密度作出來）。不知道這個是怎么作的呢。我想一個是到空間（能量），可另外一個是是空間，不知道怎么對應(yīng)啊，各位哦高手能分享下經(jīng)驗(yàn)嗎？謝謝。 圖1 圖2 |
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goldenfisher
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【答案】應(yīng)助回帖
enola(金幣+10): 謝謝 2011-11-23 10:45:23
ben_ladeng(專家考核): 2012-01-14 18:15:51
ben_ladeng(專家考核): 2012-01-14 18:15:51
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Defect state應(yīng)該是和沒有缺陷的時候的狀態(tài)比較而得到的。比如第一個圖，分別畫出有無defect的時候的DOS,或者畫出各個原子的pdos，然后二者比較即可看出你要的不同。 至于第二個圖，則是兩個構(gòu)型的電荷密度之差。即一個是理想的無缺陷時的電荷密度，一個是有缺陷時的電荷密度，二者相減，即可看出defect state在何處分布。 在實(shí)際中，我是這么做的。 |
2樓2011-11-23 10:42:54
enola
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Defect state應(yīng)該是和沒有缺陷的時候的狀態(tài)比較而得到的。比如第一個圖，分別畫出有無defect的時候的DOS,或者畫出各個原子的pdos，然后二者比較即可看出你要的不同。 #是的，第一個圖是通過比較沒有缺陷和有缺陷時得到的。 至于第二個圖，則是兩個構(gòu)型的電荷密度之差。即一個是理想的無缺陷時的電荷密度，一個是有缺陷時的電荷密度，二者相減，即可看出defect state在何處分布。 在實(shí)際中，我是這么做的。 #這里的話有有個疑問，在引入缺陷后，我們會有一個結(jié)構(gòu)優(yōu)化，再計(jì)算電荷密度，這樣和第一個無缺陷的電荷密度相減，會不會有問題呢？比如原先在某點(diǎn)的電荷密度主要是由A和B的共價鍵形成的，但是結(jié)構(gòu)優(yōu)化后，A和B不再有共價鍵，而是C原子與B形成共價鍵，這個應(yīng)該不能算缺陷啊。 還有個問題是，paper上寫道，在PDOS的-5eV處，引入缺陷后發(fā)現(xiàn)一個額外的態(tài)，然后作者畫出來與-5eV對應(yīng)的電荷密度。那我在畫電荷密度時，怎么使電荷密度的isosurface值和這個-5eV對應(yīng)呢？（如圖） 圖一： 圖二： |
3樓2011-11-23 10:56:19
goldenfisher
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4樓2011-11-23 11:01:10
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