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defect states 與電子密度
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第一性原理 | VASP |

金蟲 (著名寫手)
金蟲 (著名寫手)
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Defect state應(yīng)該是和沒有缺陷的時(shí)候的狀態(tài)比較而得到的。比如第一個(gè)圖,分別畫出有無(wú)defect的時(shí)候的DOS,或者畫出各個(gè)原子的pdos,然后二者比較即可看出你要的不同。 至于第二個(gè)圖,則是兩個(gè)構(gòu)型的電荷密度之差。即一個(gè)是理想的無(wú)缺陷時(shí)的電荷密度,一個(gè)是有缺陷時(shí)的電荷密度,二者相減,即可看出defect state在何處分布。 在實(shí)際中,我是這么做的。 |
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