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coolcoolsun金蟲 (小有名氣)
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不同摻雜比下,摻鈮鈦酸鍶費米能級位置的計算? 已有2人參與
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STO單晶的電子親和能大概為4.0EV,帶隙3.2EV,現(xiàn)在的摻雜比,電阻率和遷移率如下圖(常溫) Nb 濃度(wt%) 1.0 0.7 0.4 0.1 電阻率 ohm-cm 0.0035 0.0070 0.05 0.08 遷移率 cm2/v 9.0 8.5 8.5 6.5 是否可以用Ef=Ec+kT ln (Nd/Nc)計算不同摻雜比的費米能級位置。 Nd=Ni, 可以計算出來 但是Nc怎么算,特別是需要導(dǎo)帶的電子態(tài)有效質(zhì)量,這個怎么找,應(yīng)該是多少?還有這樣的計算對不對,有沒有什么具體的意義,還有怎么判斷摻雜后是簡并的還是非簡并的? 簡并半導(dǎo)體中,載流子的濃度可以用摻雜的有效濃度表示,那非簡并半導(dǎo)體,載流子濃度用什么表示? |

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