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nanokiller銀蟲 (小有名氣)
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[交流]
一步濺射制備CIGS吸收層 已有15人參與
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不知大家有誰做過一步濺射制備CIGS或CIS吸收層的工作?或談一下這方面的了解/見解?相關(guān)資料? 我所了解的是臺灣威奈公司在從事這方面的工作。 |
薄膜太陽能電池 | CIGS |

木蟲 (正式寫手)
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記得曾經(jīng)有人給我發(fā)站內(nèi)信討論這個問題。我想公開表達(dá)一下我的觀點。我不認(rèn)為一步濺射的方法可以制備性能較好的CIGS吸收層;我的主要觀點為: 1. 難以保證吸收層的化學(xué)計量比,雖然CIGS電池對吸收層的化學(xué)計量比并不嚴(yán)格,但是對CGI和GGI的要求還是有的;換言之你即使采用按照嚴(yán)格化學(xué)計量比的四元靶材進(jìn)行濺射,也未必獲得與靶材成分完全一致的吸收層薄膜。也許它是CIGS薄膜,但是難以獲得較高的效率; 2. 一步濺射的溫度到底有多少?能不能保證四元相的充分形成?也許有人說,我的靶材就是CIGS,還要高溫去保證四元相嗎?依據(jù)我的試驗結(jié)論,高溫是必須的,否則還是難以保證高效率。 以上是我的粗識淺見,歡迎大家拍磚。其實我真的想通過討論的方式獲取更多的知識,希望大家教我。謝謝! |
木蟲 (正式寫手)
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1. CIGS吸收層的化學(xué)計量比可以不用研究化學(xué)計量比的四元靶材濺射,吸收層薄膜與靶材成分不同,在靶材中減少多的,增加少的。 2. 濺射沉積的高溫是必須的,否則黃銅礦相不一定形成,需要的溫度有報道約550度,效率8%左右。 3.預(yù)制層的成分均勻是橫向,縱向需要成分梯度,Ga梯度可能不好形成,表面貧Cu也是必須的。 (4)如果形成合金相(Cu11In9),硒化后成分均勻性可能大打折扣。 (3)首先要生成需要的相,再是梯度形成。 |
銀蟲 (小有名氣)

銀蟲 (小有名氣)

木蟲 (正式寫手)
銀蟲 (小有名氣)

銀蟲 (小有名氣)

木蟲 (正式寫手)
銀蟲 (小有名氣)
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多謝回復(fù)! (1)不知你所講的預(yù)制層的成分梯度是講CuGaIn元素層需要一個成分梯度嗎?還是說硒化后的CIGS的Ga成分梯度?(我的預(yù)制層為CuGa/In/CuGa/In/CuGa/In三雙疊層,我們追求的是均勻的預(yù)制層,難道是大錯特錯嗎?) (2)大家都知道CIGS的難點就是硒化,文獻(xiàn)中有講要控制預(yù)制層的合金相(Cu11In9),不知你的觀點如何?是否合金相的控制是必需的? (3)若需要控制預(yù)制層的元素梯度,哪是否好多文獻(xiàn)報導(dǎo)的預(yù)制層的200度左右的合金化這一步退火工藝根本不需要? (4)你的硒化是用RTP工藝嗎? 希望不吝指教。 看你的金幣很多,就不送你紅花了。呵呵。 |

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