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nanokiller銀蟲 (小有名氣)
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[交流]
一步濺射制備CIGS吸收層 已有15人參與
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不知大家有誰做過一步濺射制備CIGS或CIS吸收層的工作？或談一下這方面的了解/見解？相關(guān)資料？ 我所了解的是臺灣威奈公司在從事這方面的工作。 |
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 薄膜太陽能電池 | CIGS |
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小木蟲(金幣+0.5):給個(gè)紅包，謝謝回帖
天也瀟瀟(金幣+1): 鼓勵(lì)交流 2012-03-11 19:23:18
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天也瀟瀟(金幣+1): 鼓勵(lì)交流 2012-03-11 19:23:18
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1. CIGS吸收層的化學(xué)計(jì)量比可以不用研究化學(xué)計(jì)量比的四元靶材濺射，吸收層薄膜與靶材成分不同，在靶材中減少多的，增加少的。 2. 濺射沉積的高溫是必須的，否則黃銅礦相不一定形成，需要的溫度有報(bào)道約550度，效率8%左右。 3.預(yù)制層的成分均勻是橫向，縱向需要成分梯度，Ga梯度可能不好形成，表面貧Cu也是必須的。 （4）如果形成合金相（Cu11In9），硒化后成分均勻性可能大打折扣。 （3）首先要生成需要的相，再是梯度形成。 |
14樓2012-02-28 10:31:57
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lovibond(金幣+2): 鼓勵(lì)交流 2012-01-08 10:41:56
天也瀟瀟: 回帖置頂 2012-02-29 20:49:42
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天也瀟瀟: 回帖置頂 2012-02-29 20:49:42
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記得曾經(jīng)有人給我發(fā)站內(nèi)信討論這個(gè)問題。我想公開表達(dá)一下我的觀點(diǎn)。我不認(rèn)為一步濺射的方法可以制備性能較好的CIGS吸收層；我的主要觀點(diǎn)為： 1. 難以保證吸收層的化學(xué)計(jì)量比，雖然CIGS電池對吸收層的化學(xué)計(jì)量比并不嚴(yán)格，但是對CGI和GGI的要求還是有的；換言之你即使采用按照嚴(yán)格化學(xué)計(jì)量比的四元靶材進(jìn)行濺射，也未必獲得與靶材成分完全一致的吸收層薄膜。也許它是CIGS薄膜，但是難以獲得較高的效率； 2. 一步濺射的溫度到底有多少？能不能保證四元相的充分形成？也許有人說，我的靶材就是CIGS，還要高溫去保證四元相嗎？依據(jù)我的試驗(yàn)結(jié)論，高溫是必須的，否則還是難以保證高效率。 以上是我的粗識淺見，歡迎大家拍磚。其實(shí)我真的想通過討論的方式獲取更多的知識，希望大家教我。謝謝！ |
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nanokiller3樓2012-01-07 08:41:39
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2樓2012-01-06 11:18:34
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4樓2012-01-07 16:27:44
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7樓2012-01-08 17:24:40
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8樓2012-01-09 10:56:51
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9樓2012-01-09 13:11:59
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多謝回復(fù)！ （1）不知你所講的預(yù)制層的成分梯度是講CuGaIn元素層需要一個(gè)成分梯度嗎？還是說硒化后的CIGS的Ga成分梯度？（我的預(yù)制層為CuGa/In/CuGa/In/CuGa/In三雙疊層，我們追求的是均勻的預(yù)制層，難道是大錯(cuò)特錯(cuò)嗎？） （2）大家都知道CIGS的難點(diǎn)就是硒化，文獻(xiàn)中有講要控制預(yù)制層的合金相（Cu11In9），不知你的觀點(diǎn)如何？是否合金相的控制是必需的？ （3）若需要控制預(yù)制層的元素梯度，哪是否好多文獻(xiàn)報(bào)導(dǎo)的預(yù)制層的200度左右的合金化這一步退火工藝根本不需要？ （4）你的硒化是用RTP工藝嗎？ 希望不吝指教。 看你的金幣很多，就不送你紅花了。呵呵。 |
10樓2012-01-09 18:49:29
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