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雨露晨滴木蟲 (正式寫手)
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[交流]
滑移線與滑移帶 已有5人參與
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| 各位前輩，請(qǐng)教一問題，滑移線是滑移晶面與晶體表面形成的臺(tái)階，這個(gè)臺(tái)階的高度在1000個(gè)原子間距左右，然而根據(jù)位錯(cuò)理論，位錯(cuò)是一原子通道，是不是只有幾個(gè)原子間距呢？那這個(gè)臺(tái)階的高度由什么決定的呢？滑移面是不是就是與半原子平面垂直，且位錯(cuò)通道所在的那個(gè)面呢？ |
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zhyq8767(金幣+2): 感謝解答！ 2012-02-21 14:13:50
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zhyq8767(金幣+2): 感謝解答！ 2012-02-21 14:13:50
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“刃型位錯(cuò)線可理解為晶體中已滑移區(qū)與未滑移區(qū)的邊界線”——材料科學(xué)基礎(chǔ)（第三版），胡賡祥，p88 所謂滑移區(qū)和未滑移區(qū)，是相對(duì)而言的。以刃位錯(cuò)為例，可以認(rèn)為具有多余半原子面的一側(cè)原子集團(tuán)是發(fā)生了滑移的部分，也可以認(rèn)為滑移面的另外一側(cè)原子集團(tuán)為滑移的部分。 通常為了表述位錯(cuò)滑移的基本特點(diǎn)，常使用從晶體表面發(fā)射的位錯(cuò)滑移之后的示意圖來標(biāo)示位錯(cuò)線和滑移區(qū)、未滑移區(qū)的關(guān)系。其中從晶體表面到多余半原子面的部分，被認(rèn)為是已滑移區(qū)，也可以說是多余半原子面經(jīng)過的區(qū)域。其它部分則為未滑移區(qū)。 滑移臺(tái)階是多余半原子面掃過之后留下的痕跡。所以兩側(cè)的部分，必然至少有一部分是經(jīng)過了多余半原子面的掃過，所以分別是已滑移區(qū)和未滑移區(qū)。 滑移臺(tái)階，不一定是位錯(cuò)從內(nèi)部滑移到表面的跡象，也可以是從臺(tái)階處發(fā)射位錯(cuò)留下的痕跡。 |
10樓2012-02-21 14:12:55
2樓2012-02-19 12:12:57
雨露晨滴
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3樓2012-02-19 12:30:40
我沒有聽過位錯(cuò)的蠕動(dòng)這個(gè)概念。 4樓2012-02-19 12:31:48
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5樓2012-02-20 11:49:14
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zhyq8767(金幣+2): 感謝交流 2012-02-20 15:31:07
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zhyq8767(金幣+2): 感謝交流 2012-02-20 15:31:07
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1，位錯(cuò)是原子通道，是指與完整晶格相比，由于位錯(cuò)附近存在畸變，原子間距較大，擴(kuò)散原子容易沿位錯(cuò)線的長度方向移動(dòng)。個(gè)人理解：原子通道其實(shí)是位錯(cuò)寬度，位錯(cuò)寬度是有嚴(yán)格定義的，建議看余永寧編寫的材料科學(xué)基礎(chǔ)的位錯(cuò)部分論述，寬度大約幾個(gè)原子間距。 2，滑移臺(tái)階是由多個(gè)位錯(cuò)掃過滑移面后，由滑移區(qū)與未滑移區(qū)在晶體表面形成的臺(tái)階。1000個(gè)原子間距的臺(tái)階，即臺(tái)階高度為1000，可以近似認(rèn)為是由1000個(gè)位錯(cuò)滑移之后的結(jié)果，每根位錯(cuò)滑移之后，會(huì)讓臺(tái)階增長一個(gè)原子面的高度。這個(gè)臺(tái)階的兩側(cè)，分別對(duì)應(yīng)著滑移區(qū)與未滑移區(qū)。 |
6樓2012-02-20 15:26:06
雨露晨滴
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7樓2012-02-21 08:40:54
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8樓2012-02-21 09:30:22
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zhyq8767(金幣+1): 感謝交流 2012-02-21 10:09:18
小木蟲(金幣+0.5):給個(gè)紅包，謝謝回帖
zhyq8767(金幣+1): 感謝交流 2012-02-21 10:09:18
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這是因?yàn)槲诲e(cuò)只能呆在晶體的內(nèi)部，不能呆在晶體表面。比如，一個(gè)單晶體要滑移，滑移面上下的兩部分晶體要發(fā)生剪切變形，靠的是位錯(cuò)的幫助才能完成。位錯(cuò)和位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)前方的部分就是滑移區(qū)，位錯(cuò)起始位置及其后方就是未滑移區(qū)。就是說位錯(cuò)不是從滑移面的一端運(yùn)動(dòng)到另一端，可能是從滑移面的中間運(yùn)動(dòng)到另一端。運(yùn)動(dòng)的那部分就叫滑移區(qū)，另外一部分就是未滑移區(qū)。 [ Last edited by 毛猴 on 2012-2-21 at 10:07 ] |
9樓2012-02-21 10:05:42
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