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xx80658銅蟲 (小有名氣)
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[求助]
請問EBSD 取向差集中在小角度區(qū)域 能不能說晶界滑移比較多呢?
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| 請問EBSD 取向差集中在小角度區(qū)域 也就是小角度晶界比例比較大的情況下 能不能說晶界滑移也比較多呢? 晶界滑移多了 位錯密度也就低了 |
EBSD電子背散射衍射分析 |
木蟲 (正式寫手)
木蟲之友
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這主要是在不同的晶粒尺度下變形協(xié)調(diào)機(jī)制的不同。我們知道傳統(tǒng)的塑形變形主要通過位錯在晶粒內(nèi)的滑移來實(shí)現(xiàn),可以認(rèn)為大尺寸的晶粒給這種滑移提供了較廣闊的空間使位錯運(yùn)動容易實(shí)現(xiàn),成為首要的變形機(jī)制。而隨著晶粒尺寸的下降到fine 或者ultrafine尺寸時(shí),晶界在整個(gè)晶粒中的密度不斷升高,由于晶界主要性質(zhì)表現(xiàn)為對位錯滑移的阻礙作用, 從而使得晶粒中位錯滑移變得越來越困難,位錯密度不斷降低,宏觀上變現(xiàn)為材料的強(qiáng)度增大,即Hall-Patch效應(yīng),也是細(xì)晶強(qiáng)化的微觀機(jī)理。一種變形機(jī)制變得困難,那么相應(yīng)的另一種變形機(jī)制將被觸發(fā),即基于晶界自身的運(yùn)動(包括晶界滑移,晶粒旋轉(zhuǎn),擴(kuò)散蠕變,晶界位錯等等), 也就是說此時(shí)由位錯運(yùn)動和晶界運(yùn)動共同來協(xié)調(diào)變形。這樣你應(yīng)該能明白你所提到的“晶界滑移能減少位錯”“晶界滑移是細(xì)晶粒位錯密度較低的原因”的說法... |
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不能說明。兩者沒有直接關(guān)聯(lián)。 小角度取向差比例高,間或說明形變區(qū)域,有時(shí)候也是強(qiáng)織構(gòu)的表現(xiàn)。 |

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