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xx80658銅蟲 (小有名氣)
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請問EBSD 取向差集中在小角度區(qū)域 能不能說晶界滑移比較多呢?
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| 請問EBSD 取向差集中在小角度區(qū)域 也就是小角度晶界比例比較大的情況下 能不能說晶界滑移也比較多呢? 晶界滑移多了 位錯密度也就低了 |
EBSD電子背散射衍射分析 |
木蟲 (正式寫手)
木蟲之友
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這主要是在不同的晶粒尺度下變形協(xié)調(diào)機制的不同。我們知道傳統(tǒng)的塑形變形主要通過位錯在晶粒內(nèi)的滑移來實現(xiàn),可以認為大尺寸的晶粒給這種滑移提供了較廣闊的空間使位錯運動容易實現(xiàn),成為首要的變形機制。而隨著晶粒尺寸的下降到fine 或者ultrafine尺寸時,晶界在整個晶粒中的密度不斷升高,由于晶界主要性質(zhì)表現(xiàn)為對位錯滑移的阻礙作用, 從而使得晶粒中位錯滑移變得越來越困難,位錯密度不斷降低,宏觀上變現(xiàn)為材料的強度增大,即Hall-Patch效應(yīng),也是細晶強化的微觀機理。一種變形機制變得困難,那么相應(yīng)的另一種變形機制將被觸發(fā),即基于晶界自身的運動(包括晶界滑移,晶粒旋轉(zhuǎn),擴散蠕變,晶界位錯等等), 也就是說此時由位錯運動和晶界運動共同來協(xié)調(diào)變形。這樣你應(yīng)該能明白你所提到的“晶界滑移能減少位錯”“晶界滑移是細晶粒位錯密度較低的原因”的說法... |
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