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[交流]
大角度晶界不能用位錯模型描述,位錯模型的核心內容和本質是什么呢?
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小角度晶界和大角度晶界的區(qū)別: 一般小角度晶界的結構可以用位錯模型描述,即小角度晶界是由位錯構成的; 而大角度晶界不能用位錯模型描述。 我對“大角度晶界不能用位錯模型描述”這句話反復理解,但一直非常的迷糊。 大角度晶界不能用位錯模型描述,是不是主要包含 大角度晶界不是由晶界構成的呢? 但我的觀察發(fā)現(xiàn),無論是小角度晶界還是大角度晶界(不包括特殊角度晶界,如孿晶界),晶界都是由位錯組成的,只是取向差越大,位錯間距 也越大。 位錯模型的核心內容以及本質是什么呢? 希望大家可以討論。謝謝。 |
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金蟲 (著名寫手)
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你的問題我來答,呵呵 先回答你一個錯誤的概念,大角度晶界和小角度晶界都是晶界,晶界就是晶粒于晶粒之間的邊界!每一個晶粒內部原子都是有序排列的。 小角度晶界指的是相鄰晶粒的晶粒取向小于15度,這個可以通過電子背散射技術測定,這就說明,晶粒取向差比較小,一般在大塑性變形或者動態(tài)再結晶出現(xiàn)這樣的情況,而小角度晶界的出現(xiàn)則意味著位錯重排的發(fā)生,位錯重排就是大量位錯集體在一個區(qū)域重新有序的排列,簡單說,小角度晶界是由位錯重排形成的,其相鄰晶粒取向差。ㄎ诲e重排前,很可能就是一個大晶粒),小角度晶界能量高,不穩(wěn)定,也稱為不平衡組織。 隨著變形的繼續(xù)或者加熱(退火),小角度晶界兩側的晶粒發(fā)生穩(wěn)定化,相對的晶粒取向增加,大于15度,大角度晶界也就形成了,這個是穩(wěn)定組織,你通過化學腐蝕就可以觀察到。這時候那些位錯組織就不存在了,晶界內部的原子是無序排列的,原子能量很高,多以化學腐蝕,晶界處原子容易消失,你才能看得到。 不論你想不想不通,我就說到這里,謝謝 |
金蟲 (正式寫手)
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首先大角度和小角度晶界的界限是不嚴格的,不同的材料由于結構本身的原因會有些差別,同時根據(jù)針對的方面不同也是有差別的。但是,generally, 界限在10-15度。 1.對于小角度晶界,一般用位錯模型來解釋,純tilt boundary用刃位錯,純twist boundary用螺位錯;而對于大角度晶界一般采用CSL或者DSC等點陣模型來解釋,這是大家普遍接受的理論,就不用做多的說明了。 2. 一般認為小角度晶界的性質跟misorientation angle有很大的關系,這就牽涉到在boundary處的位錯數(shù)量和特征,而大角度晶界的性質對 misorientation angle的大小不太敏感,或者準確來說不是由它決定的。 3. 關于大角度晶界為什么不用位錯模型,因為小角度晶界用位錯模型很容易理解你也認可的,特別是對于變形后的組織,我想你的一個觀點是錯誤的,不是取向差越大位錯間距越大,而是越小才對。而對于大角度晶界,由于用位錯模型的解釋的話需要在boundary處堆積很高密度的位錯,在這個密度下,位錯的core就會互相重合,而此時位錯也就失去了他的identity,所以一般不能用位錯模型來解釋大角度晶界。理論計算的結果大概在取向差大于15度位錯密度就高到失去identity的程度了,所以一般選15度為界限。 希望我表達清楚了 |
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1. 所有的晶界都是缺陷,有時候叫boundary可能比grain boundary更嚴謹些,特別是對一些dislocation wall 組成的小角度界面。另外孿晶界也是一種缺陷,是面缺陷,只是它的界面能比較低而已 2. 我上面說了可能沒說清楚,小角度晶界我們用位錯模型來解釋,是合理的。而大角度晶界是不同的,如果是變形過程中產(chǎn)生的大角度晶界是由位錯不斷在晶界處重組,可以說它是由位錯構成,但是這時候位錯已經(jīng)互相影響不具有位錯的特征了,所以也不用位錯模型解釋,而一般的大角度晶界比如凝固過程形成的,就不是位錯了,只是一個界面而已,常用DSC CSL點陣模型解釋。 總之大角度晶界都不具有位錯的特征,所以不能說大角度晶界由位錯組成,這個界面僅是原子的無序堆垛。這是我的理解 |
金蟲 (小有名氣)
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