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大角度晶界不能用位錯模型描述，位錯模型的核心內(nèi)容和本質(zhì)是什么呢？
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小角度晶界和大角度晶界的區(qū)別： 一般小角度晶界的結(jié)構(gòu)可以用位錯模型描述，即小角度晶界是由位錯構(gòu)成的； 而大角度晶界不能用位錯模型描述。 我對“大角度晶界不能用位錯模型描述”這句話反復(fù)理解，但一直非常的迷糊。 大角度晶界不能用位錯模型描述，是不是主要包含 大角度晶界不是由晶界構(gòu)成的呢？ 但我的觀察發(fā)現(xiàn)，無論是小角度晶界還是大角度晶界（不包括特殊角度晶界，如孿晶界），晶界都是由位錯組成的，只是取向差越大，位錯間距 也越大。 位錯模型的核心內(nèi)容以及本質(zhì)是什么呢？ 希望大家可以討論。謝謝。 |
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小木蟲: 金幣+0.5, 給個紅包，謝謝回帖
八角寨: 金幣+10, 非常感謝您的耐心解釋，分析的很透徹，也很專業(yè)。 2012-11-22 08:27:10
小木蟲: 金幣+0.5, 給個紅包，謝謝回帖
八角寨: 金幣+10, 非常感謝您的耐心解釋，分析的很透徹，也很專業(yè)。 2012-11-22 08:27:10
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首先大角度和小角度晶界的界限是不嚴(yán)格的，不同的材料由于結(jié)構(gòu)本身的原因會有些差別，同時根據(jù)針對的方面不同也是有差別的。但是，generally， 界限在10-15度。 1.對于小角度晶界，一般用位錯模型來解釋，純tilt boundary用刃位錯，純twist boundary用螺位錯；而對于大角度晶界一般采用CSL或者DSC等點(diǎn)陣模型來解釋，這是大家普遍接受的理論，就不用做多的說明了。 2. 一般認(rèn)為小角度晶界的性質(zhì)跟misorientation angle有很大的關(guān)系，這就牽涉到在boundary處的位錯數(shù)量和特征，而大角度晶界的性質(zhì)對 misorientation angle的大小不太敏感，或者準(zhǔn)確來說不是由它決定的。 3. 關(guān)于大角度晶界為什么不用位錯模型，因為小角度晶界用位錯模型很容易理解你也認(rèn)可的，特別是對于變形后的組織，我想你的一個觀點(diǎn)是錯誤的，不是取向差越大位錯間距越大，而是越小才對。而對于大角度晶界，由于用位錯模型的解釋的話需要在boundary處堆積很高密度的位錯，在這個密度下，位錯的core就會互相重合，而此時位錯也就失去了他的identity，所以一般不能用位錯模型來解釋大角度晶界。理論計算的結(jié)果大概在取向差大于15度位錯密度就高到失去identity的程度了，所以一般選15度為界限。 希望我表達(dá)清楚了 |
4樓2012-11-22 04:34:14
★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
小木蟲: 金幣+0.5, 給個紅包，謝謝回帖
八角寨: 金幣+8, 感謝您的耐心解答。 2012-11-22 08:28:46
小木蟲: 金幣+0.5, 給個紅包，謝謝回帖
八角寨: 金幣+8, 感謝您的耐心解答。 2012-11-22 08:28:46
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你的問題我來答，呵呵 先回答你一個錯誤的概念，大角度晶界和小角度晶界都是晶界，晶界就是晶粒于晶粒之間的邊界！每一個晶粒內(nèi)部原子都是有序排列的。 小角度晶界指的是相鄰晶粒的晶粒取向小于15度，這個可以通過電子背散射技術(shù)測定，這就說明，晶粒取向差比較小，一般在大塑性變形或者動態(tài)再結(jié)晶出現(xiàn)這樣的情況，而小角度晶界的出現(xiàn)則意味著位錯重排的發(fā)生，位錯重排就是大量位錯集體在一個區(qū)域重新有序的排列，簡單說，小角度晶界是由位錯重排形成的，其相鄰晶粒取向差�。ㄎ诲e重排前，很可能就是一個大晶粒），小角度晶界能量高，不穩(wěn)定，也稱為不平衡組織。 隨著變形的繼續(xù)或者加熱（退火），小角度晶界兩側(cè)的晶粒發(fā)生穩(wěn)定化，相對的晶粒取向增加，大于15度，大角度晶界也就形成了，這個是穩(wěn)定組織，你通過化學(xué)腐蝕就可以觀察到。這時候那些位錯組織就不存在了，晶界內(nèi)部的原子是無序排列的，原子能量很高，多以化學(xué)腐蝕，晶界處原子容易消失，你才能看得到。 不論你想不想不通，我就說到這里，謝謝 |
2樓2012-11-21 13:33:49
3樓2012-11-21 21:19:11
5樓2012-11-22 08:33:10
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