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qiuzc銀蟲(chóng) (小有名氣)
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[求助]
磁控濺射能起輝，但不能沉積
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我用射頻磁控濺射，濺射Al靶，功率試過(guò)從80W增加到200W，時(shí)間為兩小時(shí)。能起輝，但石英基片上沒(méi)任何東西。之前反應(yīng)濺射鋅靶鍍氧化鋅，能鍍出氧化鋅，但怎么都不厚，而直接濺射鋅（同一靶材），卻沒(méi)有沉積鋅。 [ Last edited by qiuzc on 2012-3-23 at 09:11 ] |
回復(fù)此樓» 收錄本帖的淘帖專(zhuān)輯推薦
 反應(yīng)磁控濺射 | 薄膜材料和器件表征 | 薄膜材料和器件制備 |
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【答案】應(yīng)助回帖
★ ★ ★
感謝參與，應(yīng)助指數(shù) +1
qiuzc: 金幣+3 2012-05-14 22:03:39
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qiuzc: 金幣+3 2012-05-14 22:03:39
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樓主為何利用射頻源來(lái)濺射金屬Al或者Zn呢？射頻磁控濺射一般都是針對(duì)絕緣體的靶材或者導(dǎo)電性相對(duì)較差的靶材，利用同一周期內(nèi)電子比正離子速度快進(jìn)而沉積到靶材上的電子數(shù)目比正離子數(shù)目多從而建立起自偏壓對(duì)離子進(jìn)行加速實(shí)現(xiàn)靶的濺射。對(duì)于導(dǎo)電性很好的金屬靶，很難建立較高的自偏壓，正離子無(wú)法獲得足夠的能量去轟擊靶材。對(duì)于樓主說(shuō)的反應(yīng)濺射的情況又可以，這是因?yàn)檠鯕馀c金屬Zn現(xiàn)在表面發(fā)生氧化反應(yīng)形成一層ZnO半導(dǎo)體，從而可以建立足以加速正離子的自偏壓。 樓主可以用直流電源濺射金屬靶，相信200W的直流功率是足夠的！ |
3樓2012-03-24 17:36:46
ybhan
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7樓2012-03-26 09:31:38
feiepeng
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8樓2012-03-26 09:37:08
aptree18
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11樓2013-05-02 17:10:46
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2樓2012-03-24 11:57:33
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4樓2012-03-25 14:00:23
feiepeng
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【答案】應(yīng)助回帖
★ ★ ★
感謝參與，應(yīng)助指數(shù) +1
qiuzc: 金幣+3, ★有幫助 2012-05-14 22:03:30
感謝參與，應(yīng)助指數(shù) +1
qiuzc: 金幣+3, ★有幫助 2012-05-14 22:03:30
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同意樓上的觀點(diǎn)，氣氛很重要，如果是純Zn靶，必須提高O:Ar的比，至少要1:1；相應(yīng)的基板的溫度也要考慮好，鍍ZnO的溫度一般為300度左右 以我以前的經(jīng)驗(yàn)來(lái)看，射頻源濺射時(shí)功率一般在100-180W就可以了，沒(méi)有必要繼續(xù)提高了。 至于用純鋅靶是否用射頻影響不大，但是純鋁用射頻要穩(wěn)定點(diǎn)，以前試過(guò)鍍Al，發(fā)覺(jué)還是用直流很難控制濺射率 |
5樓2012-03-26 08:54:48
ybhan
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6樓2012-03-26 09:30:14
zhubin6599
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9樓2012-04-19 12:26:37
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10樓2013-03-01 10:41:17
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