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劉恩科半導(dǎo)體物理的幾點(diǎn)疑問(簡并半導(dǎo)體的載流子濃度) 已有4人參與
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劉恩科半導(dǎo)體物理的幾點(diǎn)疑問: 1.簡并半導(dǎo)體的多數(shù)載流子濃度 按電中性條件n0=Nd+,可以計(jì)算得n0=8.4%Nd 但是下面低溫載流子凍析效應(yīng)中,又講,當(dāng)溫度高于100k時(shí),si中施主雜質(zhì)全部電離。 到底哪個(gè)是正確的? 2. 簡并半導(dǎo)體的少數(shù)載流子濃度怎么計(jì)算啊? 不能用非簡并半導(dǎo)體的n0*P0=ni^2 請(qǐng)各位不吝賜教!! |
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木蟲 (正式寫手)
銀蟲 (小有名氣)

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不知道樓主得到答案沒有, 1. 重?fù)诫s(簡并半導(dǎo)體)情況下,雜質(zhì)的電離是不完全的,而你所說的“當(dāng)溫度高于100k時(shí),si中施主雜質(zhì)全部電離。”應(yīng)該是針對(duì)非簡并的情況,可參考圖3-11,在100k 以上,n-Si是飽和電離的,兩者針對(duì)情況不一樣,不矛盾 2. n0*P0=ni^2應(yīng)該也能用在平衡態(tài)簡并半導(dǎo)體,只是不能用在非平衡態(tài)半導(dǎo)體。 |
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