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劉恩科半導(dǎo)體物理的幾點疑問(簡并半導(dǎo)體的載流子濃度) 已有4人參與
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劉恩科半導(dǎo)體物理的幾點疑問: 1.簡并半導(dǎo)體的多數(shù)載流子濃度 按電中性條件n0=Nd+,可以計算得n0=8.4%Nd 但是下面低溫載流子凍析效應(yīng)中,又講,當(dāng)溫度高于100k時,si中施主雜質(zhì)全部電離。 到底哪個是正確的。 2. 簡并半導(dǎo)體的少數(shù)載流子濃度怎么計算? 不能用非簡并半導(dǎo)體的n0*P0=ni^2 請各位不吝賜教!! |
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不知道樓主得到答案沒有, 1. 重摻雜(簡并半導(dǎo)體)情況下,雜質(zhì)的電離是不完全的,而你所說的“當(dāng)溫度高于100k時,si中施主雜質(zhì)全部電離!睉(yīng)該是針對非簡并的情況,可參考圖3-11,在100k 以上,n-Si是飽和電離的,兩者針對情況不一樣,不矛盾 2. n0*P0=ni^2應(yīng)該也能用在平衡態(tài)簡并半導(dǎo)體,只是不能用在非平衡態(tài)半導(dǎo)體。 |
木蟲 (正式寫手)
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