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缺陷處ELF的作法 已有1人參與
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木蟲 (著名寫手)

木蟲 (著名寫手)

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我認為是懸掛鍵起作用。 你可以參考教材Atomic and Electronic Structure of Solids_Efthimios Kaxiras中p320頁figure9.3關(guān)于單質(zhì)Si中點缺陷的例子 對于你的Si3N4,我做一個猜測。去掉一個N,與它配位的三個Si上共出現(xiàn)三個懸掛鍵。原子弛豫之后,最有可能的結(jié)果是其中兩個Si的懸掛鍵形成共價鍵。但是還剩下一個懸掛鍵。這時你加一個電子進去,它很可能局域在具有懸掛鍵的Si原子上,因為由這個懸掛鍵引起的缺陷能級的能量要比導(dǎo)帶和另外兩個Si的懸掛鍵形成的反鍵態(tài)能量低。 這個只是定性分析,實際情況可能不同,希望你算成功之后拿來和大家分享 |
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實際上,有paper認為是共價鍵的作用, http://www.gaoyang168.com/bbs/viewthread.php?tid=4424835 這個圖形很直接,也很漂亮。我一直糾結(jié)這個圖形是怎么做出來的~~~ |
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