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請(qǐng)教pwscf計(jì)算吸附的問(wèn)題 已有2人參與
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我剛開(kāi)始學(xué)習(xí)pwscf,想計(jì)算分子在ZnO表面的吸附,跟大家請(qǐng)教一下具體步驟。 我的理解是對(duì)ZnO bulk進(jìn)行relax得到優(yōu)化后的晶格參數(shù),然后用所得的晶格參數(shù)建立表面模型,進(jìn)行收斂測(cè)試,最后加上小分子再進(jìn)行收斂測(cè)試和其他計(jì)算。 問(wèn)題是我對(duì)ZnO bulk優(yōu)化完之后,在.out文件中只看到原子坐標(biāo),怎么知道優(yōu)化后的晶格參數(shù)呢?坐標(biāo)如下,ZnO是六方晶系,P63mc空間群。謝謝了。! ATOMIC_POSITIONS (crystal) O 0.333333333 0.666666667 0.382191656 O -0.333333333 -0.666666667 0.882191656 Zn 0.333333333 0.666666667 0.000408344 Zn -0.333333333 -0.666666667 0.500408344 |
專(zhuān)家顧問(wèn) (著名寫(xiě)手)
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專(zhuān)家經(jīng)驗(yàn): +174 |
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如果是做的relax,那么晶格肯定沒(méi)變化,只有內(nèi)部格點(diǎn)位置變化了,所以不用看。 如果是做的vc-relax,晶格會(huì)發(fā)生變化,這時(shí)要看最后一步scf的,也就是這句后的 A final scf calculation at the relaxed structure. The G-vectors are recalculated for the final unit cell Results may differ from those at the preceding step. crystal axes部分。 或者如果覺(jué)得這里的有效位數(shù)太少,可以看這句之前的幾行的CELL_PARAMETERS下面的3x3矩陣。 |

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2樓: Originally posted by souledge at 2012-05-30 12:35:08 如果是做的relax,那么晶格肯定沒(méi)變化,只有內(nèi)部格點(diǎn)位置變化了,所以不用看。 如果是做的vc-relax,晶格會(huì)發(fā)生變化,這時(shí)要看最后一步scf的,也就是這句后的 A final scf calculation at the relaxed str ... 這樣啊,謝謝souledge,那對(duì)于吸附體系,需不需要做vc-relax呢?您看我上面寫(xiě)的步驟沒(méi)什么問(wèn)題吧,謝了。! |
鐵桿木蟲(chóng) (正式寫(xiě)手)
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