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vasp結(jié)構(gòu)優(yōu)化中EDIFF以及KPOINTS設(shè)置,以及氫吸附結(jié)合能問題!
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仁兄義姐好:我想問下: 1 在vasp計(jì)算中,INCAR中的EDIFF是精度越高會(huì)帶來越多計(jì)算步驟從而花費(fèi)更多的計(jì)算時(shí)間,還是說精度越高,卻會(huì)使每個(gè)離子步優(yōu)化的更精確,從而減少了離子優(yōu)化的總步數(shù),會(huì)是時(shí)間減少?這個(gè)究竟是怎么回事? 還有K點(diǎn)設(shè)置時(shí),是K點(diǎn)越大越耗費(fèi)資源,計(jì)算時(shí)間長(zhǎng);還是K點(diǎn)越大而導(dǎo)致收斂的比較順利而使計(jì)算時(shí)間變少?這個(gè)究竟哪個(gè)是主要的,到底對(duì)不同的計(jì)算結(jié)構(gòu)該怎樣分析使用K點(diǎn)。 2 在計(jì)算石墨烯以及硅納米線表面氫吸附結(jié)合能的時(shí)候,應(yīng)該怎樣計(jì)算? 比如說是直接(不優(yōu)化)在結(jié)構(gòu)上自動(dòng)加氫,然后再算總能,使結(jié)合后的能量減去前兩者,但整個(gè)過程前后所有結(jié)構(gòu)全都沒有優(yōu)化。還是另外一種情況:就是先把沒有加氫的原結(jié)構(gòu)先優(yōu)化并算出優(yōu)化后的能量,然后把氫原子加到已優(yōu)化好的結(jié)構(gòu)上并計(jì)算出總能。最后用這個(gè)已優(yōu)化的總能減去前面原結(jié)構(gòu)(已優(yōu)化)的能量以及氫原子的能量?請(qǐng)問這兩種情況哪種對(duì),若都不對(duì),有其他方式嗎? 麻煩給出的答案越詳細(xì)越好,小弟在此謝過! |
VASP | VASP |
金蟲 (小有名氣)
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1.離子步的個(gè)數(shù)與EDIFF有關(guān),因?yàn)殡娮硬皆骄_,每個(gè)離子受力計(jì)算的越準(zhǔn)確。但這個(gè)計(jì)算精確的提高并不如良好的POTIM值來的明顯(其實(shí)POTIM有點(diǎn)運(yùn)氣成分)。通常粗優(yōu)化時(shí)調(diào)低EDIFF,POTIM取0.75-1.25(個(gè)人經(jīng)驗(yàn)),IBRION=2,KPOINTS取一個(gè)點(diǎn)都沒有關(guān)系;然后再進(jìn)行一遍精細(xì)的優(yōu)化,IBRION=1,POTIM取0.3-0.5吧...第二次弛豫可以用到上面的WAVECAR和CHGCAR(HF方法用不到CHGCAR),總的時(shí)間花費(fèi)會(huì)比上來就高精度要少很多。任何時(shí)候ALGO=FAST都是很好的選擇。 2.第二種,大家都解釋了。 |
鐵桿木蟲 (正式寫手)
金蟲 (小有名氣)
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1 EDIFF太大則結(jié)構(gòu)優(yōu)化的時(shí)候容易弛豫到亞穩(wěn)態(tài)而非穩(wěn)態(tài),太小則精度不夠,因此從計(jì)算精確度來說必須適中,一般來說EDIFF越大計(jì)算越慢,個(gè)人經(jīng)驗(yàn)。 K點(diǎn)的話一般是越多計(jì)算越慢吧,具體用多少K點(diǎn)要測(cè)試,保證精度的前提下少點(diǎn)算的快。 2 第二種,但是加氫上去以后總的還得優(yōu)化,因?yàn)槟悴淮_定H跟納米線表面的距離 |
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