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[求助]
關(guān)于vasp加電場(chǎng)的問(wèn)題
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Sample Text 這幾天一直糾結(jié)于加電場(chǎng)的問(wèn)題，在我的體系中，真空層設(shè)置的是13A. 我先在沒(méi)加電場(chǎng)的情況下的進(jìn)行relax, 獲得最穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)后，在此基礎(chǔ)上加入上面輸入的三個(gè)電場(chǎng)的參數(shù)設(shè)置EFIELD=0.4, LDIPOL=.T>, IDIPOL=3(z軸方向）在進(jìn)行relax，糾結(jié)的是relax后，一個(gè)離子步就結(jié)束了，與沒(méi)加電場(chǎng)的情況一模一樣。 我現(xiàn)在的問(wèn)題是，我?guī)е与妶?chǎng)后relax這種做法對(duì)不對(duì)？ 是否是加電場(chǎng)的主要是波函數(shù)的變化，離子位置基本不會(huì)因?yàn)殡妶?chǎng)而變化？如果這樣就沒(méi)必要在結(jié)構(gòu)優(yōu)化周加入電場(chǎng)的參數(shù)，如果僅僅只考慮電場(chǎng)對(duì)波函數(shù)的修正，又該如何操作？ 請(qǐng)各位高手解答，不甚感激  |
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 DFT加電場(chǎng) | vasp電場(chǎng) |
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