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xingyexue鐵桿木蟲 (正式寫手)
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[求助]
新手求教！ 在VASP中 怎樣加入電子或空穴 并固定電子或空穴的位置呢？
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新人求教~~ 請各位前輩們不吝賜教 請問要如何在VASP中 加入電子或空穴 并固定電子或空穴的位置呢？ 看了一篇Gerbrand Ceder工作組的文章 計算LiMnPO4的polaron migration barriers “ A hole(electron) polaron was formed on one of the transition metal ions by removing(adding) an electron to the fully relaxed LiMPO4 (MPO4) supercell. Overall charge neutrality was preserved via a compensating background charge. If {qi} and {qf} denote the initial and final ion positions, respectively, the migration of the polaron can then be described by the transfer of the lattice distortion over a one-dimensional Born-Oppenheimer surface, with an energy maximum at a configuration between {qi} and {qf}.” 如何固定電子或空穴在兩個Mn之間傳輸時的位置呢？ 而補償電荷又如何設(shè)置呢？ ps：我看到有人說設(shè)置電荷NELECT這個參數(shù)，但是這個是總的電荷數(shù)吧，要怎么固定電荷的位置呢？ [ Last edited by xingyexue on 2012-6-25 at 15:31 ] |
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3樓2012-06-25 23:37:19
hw45888792
金蟲 (正式寫手)
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2樓2012-06-25 16:27:27
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