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求助 ESI-TOF MS轟擊電壓越高 碎片會越多嗎?
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| 求助 ESI-TOF MS轟擊電壓越高 碎片會越多嗎? |
金蟲 (小有名氣)
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機器的CE設(shè)置是多少呢? 你所說的電壓是指什么voltage? 是capillary voltage?還是 sample cone voltage? 還是 extraction cone voltage 對于ESI源來說,如果不是collision energy voltage,上面三個voltage 中的任何一個都不是用來轟擊分子的。 ESI 源的樣品離子化并不是靠電子轟擊,而是通過噴霧(spray)過程中甚至在溶液中被質(zhì)子化(或脫質(zhì)子化)而產(chǎn)生的 [M+H]+ ([M-H]-)氣態(tài)離子。 一般的ESI, 大都是通過調(diào)節(jié)sample cone voltage (也就是調(diào)節(jié)樣品溶液spray 的電壓) 來調(diào)節(jié)樣品被離子化的程度。 基本沒有樣品能達到到100% inpurity。 所以,理論上來說,ESI 的樣品都是含雜質(zhì)的。 MS的檢測器檢測到的信號是relative intensity,也就是當(dāng)?shù)碗妷簳r,檢測器會被其他易離子化雜質(zhì)小分子飽和,這樣就有可能使得樣品中主要成分反而能被檢測到的比例更少。 這樣,你所說的低電壓碎片比較多,個人認(rèn)為應(yīng)該是易電離小分子雜質(zhì)的分子離子峰(m/z)。 而加大電壓,則是增加了在液相中難質(zhì)子化樣品在噴霧過程的離子化效率。這時樣品含量的多少起主要作用,其他雜質(zhì)峰信號相對減弱。甚至在質(zhì)譜中不可見。 而且ESI的最大優(yōu)點就是它易檢測到樣品分子離子峰,而不是碎片峰。 當(dāng)然,不排除ESI檢測到碎片峰的可能性。 如果要確定較小m/z峰是否是某個分子離子峰的碎片峰,請做MSMS. |
金蟲 (小有名氣)
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