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迷路的游俠木蟲 (正式寫手)
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[求助]
納米線建模的一點兒問題
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| 菜鳥想請教各位大神，納米線建模時截面的形狀如何確定？方形或圓柱的都可以？是不是有些體系刪完多余原子后就不需要加H就鈍化了（無懸掛鍵）？還有一個問題是導(dǎo)出到VASP時POSCAR里的a、b、c要如何寫？問題有點多，希望各位大神能耐心講解，多謝！ |
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1. 截面形狀是方是圓，取決于你研究的體系，一般來說，圓形比較合適，因為對稱性高，各個方向的受力容易平衡。 2. 如果是周期性體系，不需要加氫鈍化。因為他們在納米線的長度方向上是沒有懸掛鍵的。 3. POSCAR的格式請參考VASP手冊，如果使用的晶胞的三個晶軸互相垂直（90度），那么POSCAR里面對應(yīng)晶胞的那幾行可以寫為： 1.0 a 0 0 0 b 0 0 0 c |
2樓2012-07-16 11:33:01
迷路的游俠
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3樓2012-07-17 10:38:41
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一般是不會有影響的，如果你C軸較小，建議你做一個測試：比如某分子在納米線上的吸附能大小。 首先做一個C軸較短的模型，計算吸附能，記為E1 然后C軸加倍，再次計算吸附能，記為E2 比較E1和E2的差別，如果不大，就可以選取簡單的模型計算（即，較短的C軸）。如果差別大，那么就意味著C軸太小導(dǎo)致了吸附分子與其鏡像之間距離太小，發(fā)生了一定的相互作用，導(dǎo)致計算的吸附能不準(zhǔn)確了。那么就要用較大的C軸作為計算模型了。 當(dāng)然，你可以繼續(xù)加長C軸進行測試，一般C軸長度10A左右就足夠避免上述鏡像之間的相互作用了。 |
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迷路的游俠4樓2012-07-17 10:49:19
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5樓2012-07-17 10:54:50
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