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weibaobao木蟲(chóng) (著名寫(xiě)手)
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氧化鋅薄膜的結(jié)構(gòu)與性質(zhì) 已有14人參與
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2 氧化鋅薄膜的結(jié)構(gòu)與性質(zhì) 優(yōu)質(zhì)的ZnO薄膜具有C軸擇優(yōu)取向生長(zhǎng)的眾多晶粒，每個(gè)晶粒都是生長(zhǎng)良好的六角形纖鋅礦結(jié)構(gòu)，晶格常數(shù)a=0.325nm，c=0.521nm�；瘜W(xué)計(jì)量比ZnO為寬帶隙半導(dǎo)體，禁帶寬度約3.3eV，具有紫外截止特性，ZnO薄膜的電阻率高于10-8Ωcm。改變生長(zhǎng)、摻雜或退火條件可形成簡(jiǎn)單半導(dǎo)體，導(dǎo)電性能大幅提高，電阻率可降低到10-2Ωcm數(shù)量級(jí)。ZnO薄膜在可見(jiàn)光范圍內(nèi)光透過(guò)率高達(dá)90%，可以用作優(yōu)質(zhì)的太陽(yáng)電池透明電極，然而它在紫外（UV）和紅外（IR）光譜范圍內(nèi)有強(qiáng)烈的吸收作用，這一性質(zhì)被利用作為相應(yīng)光譜區(qū)的阻擋層。ZnO還具有熔點(diǎn)高、制備簡(jiǎn)單、沉積溫度低和較低的電子誘生缺陷等優(yōu)點(diǎn)。硅基生長(zhǎng)的ZnO有希望將光電子器件制作與傳統(tǒng)的硅平面工藝相兼容。另外，在透明導(dǎo)電膜的研究方面，摻鋁ZnO膜（AZO）也有同ITO膜可比擬的光學(xué)電學(xué)性質(zhì)。 ZnO薄膜的高電阻率與單一的Ｃ軸結(jié)晶擇優(yōu)取向決定了它具有良好的壓電常數(shù)與機(jī)電耦合系數(shù)，可用作各種壓電、壓光、電聲與聲光器件。因具有電阻率隨表面吸附的氣體濃度變化的特點(diǎn)，ZnO薄膜還可用來(lái)制作表面型氣敏元件。通過(guò)摻入不同元素，可應(yīng)用于還原性酸性氣體、可燃性氣體、CH族氣體探測(cè)器、報(bào)警器。此外，它還在藍(lán)光調(diào)制器、低損失率光波導(dǎo)、液晶顯示、光催化、電子攝影機(jī)、熱反射窗等領(lǐng)域具有潛在應(yīng)用。 紅色部分是什么意思？10的負(fù)八到付二是電阻率降低了？ [ Last edited by weibaobao on 2012-8-10 at 16:26 ] |
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5樓2012-08-10 22:33:44
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