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cenwanglai榮譽(yù)版主 (知名作家)
老和山猥瑣派九段
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[求助]
金屬氧化物簇是否需要加氫飽和邊界？
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楊金龍老師的石墨條帶模型用氫原子來飽和邊界，這樣做的合理性和必要性在哪里呢？有人解釋是為了保持邊界上C也是sp2雜化的狀況（http://www.gaoyang168.com/bbs/viewthread.php?tid=4302791）。但是需要注意到，石墨烯中每個C原子還有一個2p電子在pie鍵上，而用來飽和的邊界H原子時沒有這樣的pie電子的。這種偏差如何理解？ 我們在做金屬氧化物的slab模型的時候，表面沒有拿任何東西來飽和。slab面向真空一面的部分，為什么可以不考慮加H飽和？比如CeO2(111)。是不是因?yàn)槠潴w相O和Ce配位數(shù)分別為4和8，在O-terminated的(111)面上，O和Ce配位數(shù)分別為3和7.變化本來就很小，完全不用H來飽和？ 注意到大連化物所李微雪他們science上的文章FeOx/Pt復(fù)合催化劑,其模型就是Pt(111)上附著單層FeOx條帶，其邊界上并沒有用H來飽和。 那么，是不是說，遠(yuǎn)離體相特性的金屬氧化物模型，比如二維單層膜，三維納米粒子，二維片或無限長的條帶，邊界是否需要飽和要看其實(shí)際存在的狀態(tài)？ 在研究金屬氧化物簇的時候，如果是從金屬氧化物塊體中截取若干金屬原子和氧原子來，是否需要添加H來飽和邊界？ 說一個模型是合理的，怎么來判斷？ 金屬氧化物簇或其他低維模型方面，希望提供參考文獻(xiàn)以供學(xué)習(xí)~ @fegg7502 @spur [ Last edited by cenwanglai on 2012-8-17 at 22:50 ] |
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表面斷鍵是否需要其它離子飽和的問題，1、看你的對比實(shí)驗(yàn)條件；2、從理論角度考慮斷鍵是否對物質(zhì)的電子結(jié)構(gòu)帶來很大影響。 如石墨烯吧，他的制備過程在液相，石墨烯邊緣的斷鍵肯定要和某離子結(jié)合的，酸性環(huán)境，H的可能性比較大，如果是硫酸，磺酸根離子也有的， 你說的這個“但是需要注意到，石墨烯中每個C原子還有一個2p電子在pie鍵上，而用來飽和的邊界H原子時沒有這樣的pie電子的。這種偏差如何理解？”的問題，我覺得，你可以將石墨烯條帶取的盡可能的寬，這樣子邊緣部分的電子結(jié)構(gòu)對里面的電子結(jié)構(gòu)影響的更小。如果直接考慮你說的這個問題的話，不知道用二價（Be）或者三價（B）的離子是否更合理?你可以試試呢？ 對于氧化物或金屬表面的話，要看哪種金屬，那種氧化物，具體的實(shí)驗(yàn)條件呢，Science的文章多半是跟高真空條件下的模型催化劑對比的，他們實(shí)驗(yàn)應(yīng)該能檢測到?jīng)]有其余的離子，所以，這個不用任何離子飽和， 金屬氧化物的表面，要看情況，好比氧化鋁催化醇脫水吧，在空氣氣氛下很容易吸水，真是催化條件下表面被水覆蓋的，所以計(jì)算要考慮各種水覆蓋度的可能。 有的催化反應(yīng)呢，真實(shí)條件下沒有水，好比氧化鎂催化甲烷活化，這個時候就不能考慮水覆蓋了呢。 對于C、Si、P、N等，這些東一般形成共價鍵，斷鍵對共價鍵的電子結(jié)構(gòu)影響比較大，很多時候要考慮用某個東西給他們的斷鍵飽和一下，典型的是分子篩的團(tuán)簇模型 |
7樓2012-08-18 07:51:40
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fzx2008: 金幣+3, 謝謝回帖！ 2012-08-17 16:59:15
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我認(rèn)為加H飽和的原因是表面有未成對的電子，加贗H可以和表面的懸掛鍵形成體相的成鍵，這樣表面就不會有能隙態(tài)了，然后就可以只關(guān)注其他的方面。但是加H鈍化只適合共價晶體，因?yàn)楣矁r晶體的表面的懸掛鍵上有未成對的電子，而離子晶體沒有。舉例來說，Ga-rich 的GaAs表面（理想的），Ga的懸掛鍵上有3/4個電子，那么就可以用有5/4個電子的贗H來鈍化。在舉例來說，研究HfO2的表面時，O終結(jié)的底面可以只留一半的O，就能做出一個絕緣的表面。是否合理的標(biāo)準(zhǔn)我認(rèn)為可以做PDOS，看看鈍化之后的表面是否會在BULK-LIKE 部分的能隙里存在表面態(tài)。 --以上純屬個人理解，如有錯誤，概不負(fù)責(zé)  |
2樓2012-08-17 16:14:40
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3樓2012-08-17 16:19:18
【答案】應(yīng)助回帖
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cenwanglai: 金幣+10, ★★★很有幫助, 非常感謝你的幫助~ 2012-08-17 17:03:22
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http://g.zhubajie.com/urllink.php?id=12713033xek5m47nyp7g269k 這個應(yīng)該是最早提出來用贗H來飽和底面懸掛鍵的論文了，共價晶體用贗H來鈍化表面懸掛鍵的例子很多的 |
4樓2012-08-17 16:43:17
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5樓2012-08-17 17:42:50
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9樓2012-09-25 10:24:15
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10樓2012-09-25 12:08:28
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