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低能表面的旋涂工藝
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請問如何在低能表面進(jìn)行有機(jī)溶劑的spin-coating。 對于這個(gè)材料,我試過了很多的有機(jī)溶劑,苯,甲苯,PEMEA都不能潤濕材料表面。 異丙醇和乙醇(因?yàn)楸砻鎻埩艿停┑故强梢院芎玫臐櫇瘢墒菂s不能很好的溶解要旋涂成膜的聚合物。 大家有什么想法嗎?一般是用什么溶劑呢?混合溶劑或者是添加表面劑? |
更好的涂膜方法 |
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供參考 在超聲波中清晰,洗滌液:1.氫氟酸(去除表面氧化物);2丙酮()去除表面油脂;3無水乙醇(除去殘余的氫氟酸和丙酮);4去離子水(除去乙醇) 如果沒什么要求就用乙醇超聲清洗就行了,如果需要親水處理,可以用硫酸/過氧化氫,或者氨水/過氧化氫處理 RCA標(biāo)準(zhǔn)清洗法是1965年由Kern和Puotinen 等人在N.J.Princeton的RCA實(shí)驗(yàn)室首創(chuàng)的,并由此而得名。RCA是一種典型的、至今仍為最普遍使用的濕式化學(xué)清洗法,該清洗法主要包括以下幾種清洗液。 (1)SPM:H2SO4 /H2O2 120~150℃ SPM具有很高的氧化能力,可將金屬氧化后溶于清洗液中,并能把有機(jī)物氧化生成CO 2和H2O。用SPM清洗硅片可去除硅片表面的重有機(jī)沾污和部分金屬,但是當(dāng)有機(jī)物沾污特別嚴(yán)重時(shí)會使有機(jī)物碳化而難以去除。 (2)HF(DHF):HF(DHF) 20~25℃ DHF可以去除硅片表面的自然氧化膜,因此,附著在自然氧化膜上的金屬將被溶解到清洗液中,同時(shí)DHF抑制了氧化膜的形成。因此可以很容易地去除硅片表面的Al,F(xiàn)e,Zn,Ni等金屬,DHF也可以去除附著在自然氧化膜上的金屬氫氧化物。用DHF清洗時(shí),在自然氧化膜被腐蝕掉時(shí),硅片表面的硅幾乎不被腐蝕。 (3)APM (SC-1):NH4OH/H2O2 /H2O 30~80℃ 由于H2O2的作用,硅片表面有一層自然氧化膜(SiO2),呈親水性,硅片表面和粒子之間可被清洗液浸透。由于硅片表面的自然氧化層與硅片表面的Si被NH 4OH腐蝕,因此附著在硅片表面的顆粒便落入清洗液中,從而達(dá)到去除粒子的目的。在 NH4OH腐蝕硅片表面的同時(shí),H2O 2又在氧化硅片表面形成新的氧化膜。 (4)HPM (SC-2):HCl/H2O2/H2 O 65~85℃ 用于去除硅片表面的鈉、鐵、鎂等金屬沾污。在室溫下HPM就能除去Fe和Zn。 清洗的一般思路是首先去除硅片表面的有機(jī)沾污,因?yàn)橛袡C(jī)物會遮蓋部分硅片表面,從而使氧化膜和與之相關(guān)的沾污難以去除;然后溶解氧化膜,因?yàn)檠趸瘜邮恰罢次巯葳濉保矔胪庋尤毕;最后再去除顆粒、金屬等沾污,同時(shí)使硅片表面鈍化 我們都是用濃硫酸雙氧水7:3沸水。常胺昼 H2O2/H2SO4(3:7)超聲20分鐘,超純水洗,N2吹干 H2O2/H2SO4=3:7在90攝氏度煮一小時(shí),冷卻后用水超聲清洗三遍,氮?dú)獯蹈删涂梢,處理后的表面是羥基化的表面 http://www.gaoyang168.com/html/200909/1547807.html http://www.jlstnet.net/hzkj_show ... 8F&newsId=12129 |

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