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[求助]
低能表面的旋涂工藝
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請(qǐng)問(wèn)如何在低能表面進(jìn)行有機(jī)溶劑的spin-coating。 對(duì)于這個(gè)材料，我試過(guò)了很多的有機(jī)溶劑，苯，甲苯，PEMEA都不能潤(rùn)濕材料表面。 異丙醇和乙醇（因?yàn)楸砻鎻埩艿停┑故强梢院芎玫臐?rùn)濕，可是卻不能很好的溶解要旋涂成膜的聚合物。 大家有什么想法嗎？一般是用什么溶劑呢？混合溶劑或者是添加表面劑？ |
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諾伊田園
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4樓2012-08-25 08:40:48
【答案】應(yīng)助回帖
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感謝參與，應(yīng)助指數(shù) +1
xulili: 金幣+1, 感謝熱心應(yīng)助 2012-08-20 21:53:46
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xulili: 金幣+1, 感謝熱心應(yīng)助 2012-08-20 21:53:46
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供參考 在超聲波中清晰，洗滌液：1.氫氟酸（去除表面氧化物）；2丙酮（）去除表面油脂；3無(wú)水乙醇（除去殘余的氫氟酸和丙酮）；4去離子水（除去乙醇） 如果沒(méi)什么要求就用乙醇超聲清洗就行了，如果需要親水處理，可以用硫酸/過(guò)氧化氫，或者氨水/過(guò)氧化氫處理 RCA標(biāo)準(zhǔn)清洗法是1965年由Kern和Puotinen 等人在N.J.Princeton的RCA實(shí)驗(yàn)室首創(chuàng)的，并由此而得名。RCA是一種典型的、至今仍為最普遍使用的濕式化學(xué)清洗法，該清洗法主要包括以下幾種清洗液。 （1）SPM：H2SO4 /H2O2 120～150℃ SPM具有很高的氧化能力，可將金屬氧化后溶于清洗液中，并能把有機(jī)物氧化生成CO 2和H2O。用SPM清洗硅片可去除硅片表面的重有機(jī)沾污和部分金屬，但是當(dāng)有機(jī)物沾污特別嚴(yán)重時(shí)會(huì)使有機(jī)物碳化而難以去除。 （2）HF(DHF)：HF(DHF) 20～25℃ DHF可以去除硅片表面的自然氧化膜，因此，附著在自然氧化膜上的金屬將被溶解到清洗液中，同時(shí)DHF抑制了氧化膜的形成。因此可以很容易地去除硅片表面的Al，F(xiàn)e，Zn，Ni等金屬，DHF也可以去除附著在自然氧化膜上的金屬氫氧化物。用DHF清洗時(shí)，在自然氧化膜被腐蝕掉時(shí)，硅片表面的硅幾乎不被腐蝕。 （3）APM (SC-1）：NH4OH/H2O2 /H2O 30～80℃ 由于H2O2的作用，硅片表面有一層自然氧化膜(SiO2)，呈親水性，硅片表面和粒子之間可被清洗液浸透。由于硅片表面的自然氧化層與硅片表面的Si被NH 4OH腐蝕，因此附著在硅片表面的顆粒便落入清洗液中，從而達(dá)到去除粒子的目的。在 NH4OH腐蝕硅片表面的同時(shí)，H2O 2又在氧化硅片表面形成新的氧化膜。 （4）HPM (SC-2)：HCl/H2O2/H2 O 65～85℃ 用于去除硅片表面的鈉、鐵、鎂等金屬沾污。在室溫下HPM就能除去Fe和Zn。 清洗的一般思路是首先去除硅片表面的有機(jī)沾污，因?yàn)橛袡C(jī)物會(huì)遮蓋部分硅片表面，從而使氧化膜和與之相關(guān)的沾污難以去除；然后溶解氧化膜，因?yàn)檠趸瘜邮恰罢次巯葳濉�，也�?huì)引入外延缺陷；最后再去除顆粒、金屬等沾污，同時(shí)使硅片表面鈍化 我們都是用濃硫酸雙氧水７：３沸水浴３０分鐘 H2O2/H2SO4(3:7)超聲20分鐘，超純水洗，N2吹干 H2O2/H2SO4=3:7在90攝氏度煮一小時(shí)，冷卻后用水超聲清洗三遍，氮?dú)獯蹈删涂梢�，處理后的表面是羥基化的表面 http://www.gaoyang168.com/html/200909/1547807.html http://www.jlstnet.net/hzkj_show ... 8F&newsId=12129 |
2樓2012-08-20 21:26:47
3樓2012-08-24 19:53:13
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6樓2012-08-29 22:41:36
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