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zwzsn1989新蟲 (初入文壇)
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[求助]
有關(guān)改善ITO/HTL界面問題的求助
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新手金幣不多，問個“白癡”問題哈，不知道是不是應(yīng)該發(fā)在這兒，希望有人耐心幫我下 最近看的第一篇文獻上提到改善ITO/HTL界面注入能壘時，提到了兩個方法，一個是加入一層薄的有機中間層organic interlayer，也就是HIL。另一個是加入一層薄的無機緩沖層a nanometer-thick inorganic buffer layer,例如MoO3. 我奇怪的是第二種方法不也是加入HIL么？難道這兩者機理不一樣？即使是無機氧化物，不也應(yīng)該是利用HIM的HOMO能級在ITO費米能級與HTLHOMO能級之間做一個臺階，進行能級匹配嗎？ 但文獻只認為加入有機層才是這個機理，而加入無機層的機理是：a nanometer-thick inorganic buffer layer(mostly a metal oxide like MoO3 and Pr2O3) is deposited on ITO to sustain a positive voltage drop, which effectively displaces the Fermi level of ITO downward. 希望有人給我簡單說說這兩種方法機理的區(qū)別，哪怕只是翻譯一下上面那個句子也好。謝謝啦~~ |
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 光電化學(xué) |
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劉志民
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【答案】應(yīng)助回帖
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nofrunolif: 金幣+1, 鼓勵交流 2012-11-20 13:54:42
nofrunolif: 金幣+1, 鼓勵交流 2012-11-20 13:54:42
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首先，無機材料不存在HOMO、LUMO的概念了，應(yīng)該說導(dǎo)帶和價帶是吧 我分析了一下，文獻的意思是說： 普通時候，ITO的Fermi能級是“—”（平的）； 使用有機材料作空穴緩沖/傳輸層時，作為陽極的ITO的Fermi能級是“\”向下傾斜的（就是為了和HIL、HTL搭好臺階）； 使用無機材料如MoO3，NiO作空穴緩沖/傳輸層時，無機材料可以承擔(dān)正向的電壓降，有效地緩解了ITO的Fermi能級向下傾斜。 這是我個人的見解，歡迎交流討論 另外我覺得無機的空穴緩沖層比有機材料更穩(wěn)定 |
2樓2012-11-20 12:31:13
huangda
金蟲 (著名寫手)
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- 應(yīng)助: 78 (初中生)
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- 專業(yè): 有機分子功能材料化學(xué)
【答案】應(yīng)助回帖
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首先，改善能壘并不是只是這兩個辦法 其次，ITO/HIL/HTL你理解的意思跟我一樣 第三，那段英文的意思我理解如下：將納米厚度的無機緩沖層（大多數(shù)是金屬氧化物如MoO3和Pr2O3）沉積到ITO上是為了保持一個正的電壓降，這個電壓降有效的代替了ITO費米能級的下降。 第四，換句話說，針對那段英文的意思，觀點目前與emuch_ID=劉志民所言一致，我們現(xiàn)在可以得出的一個結(jié)論是，“ITO費米能級的下降”是一個不好的現(xiàn)象。這個結(jié)論要確認。 第五，我覺得，無機緩沖層與ITO的相容性更好，似乎可以認為是對ITO的修飾。這個觀點供討論。 問題很好哈，歡迎常來發(fā)問。最好附上原始文獻出處 |
3樓2012-11-21 12:57:49
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