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shelay木蟲 (正式寫手)
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[求助]
vasp表面計算的結(jié)構(gòu)優(yōu)化問題
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大家好，我想用vasp計算表面結(jié)構(gòu)的一些性能，我的做法是先做表面結(jié)構(gòu)的優(yōu)化，再計算性能，優(yōu)化結(jié)構(gòu)時選擇ISIF=3，但是每次都是真空層都優(yōu)化得沒有了（注：真空層厚15A，足夠大了），不知道怎么回事啊？ 另外我用castep采用基本上一致的參數(shù)優(yōu)化真空層就不會消失，我看論壇里有些同學(xué)用ISIF=2或其它，但是我個人認(rèn)為是不是ISIF=3才是全優(yōu)化啊，一直為此很糾結(jié)，計算也一直沒什么進(jìn)展，請大家不吝賜教，感謝！ |
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2樓2012-11-03 16:55:42
【答案】應(yīng)助回帖
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shelay: 金幣+3 2012-11-05 19:19:05
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shelay: 金幣+3 2012-11-05 19:19:05
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ISIF=3意味著對體系的晶格常數(shù)，體積，內(nèi)部原子全部弛豫，所以說對于表面來說可能會出現(xiàn)你所說的情況 你可以嘗試采用ISIF=2【保持晶格常數(shù)和體積，對原子位置進(jìn)行弛豫】 同時可以建立slab模型，即對某些原子層進(jìn)行固定，在對體系進(jìn)行弛豫 還有一點，有些表面材料如果在計算模擬時候取得夠厚（層數(shù)夠多）即使是ISIF=3也不會跑開，這個我計算中出現(xiàn)過，所以說你也可以查看一下是不是層數(shù)不夠多，或是體系POSCAR建立有問題，比如說原子位置的z方向相對坐標(biāo)，是相對于含有正空層厚度的z方向晶格常數(shù)而言的 |
3樓2012-11-04 19:53:08
shelay
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4樓2012-11-05 19:20:33
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