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hhxxa金蟲 (正式寫手)
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[求助]
CV求的電容為什么比EIS求的電容要高 已有1人參與
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| CV在2mV/s下的比電容比EIS在0.01Hz下的比電容要高出一些。怎么解釋好。CV是利用積分面積求得，EIS電容是利用公式-1/2πfZ'm求得 |
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nktornado
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首先，EIS全譜掃描。根據(jù)全譜來判定你的體系含有什么樣的一個等效電路。 如果是一個明顯半圓加一條斜線。這個是經(jīng)典的（cpe）（RWo）電路。也就是說這個體系除了純電阻還要串一個并聯(lián)電路，并聯(lián)電路的一支是CPE，另一支是RWo串聯(lián)。 這樣的電路已經(jīng)不是純電容的電路了。 也就是說你在半圓后的實部虛部是rWo串聯(lián)電路，另一支的電容因為低頻已經(jīng)是斷路了。 高頻通，低頻斷，電容的特性這個應(yīng)該可以理解吧。 所以當(dāng)頻率太低時，電容是可以被看成斷路的。這個時候的虛部來計算電容值，不可行。 這就是為什么很多EIS或者用單點頻率求電容時一般不小于100Hz。特別的，為什么物化實驗里測溶液電導(dǎo)時有個問答題，為什么頻率太高或者太低都不好，而選用1000hz的頻率。就是這個原因。特別高的頻率比如100000hz，這里只有純電阻。因為電容可以通高頻，高頻穿過去了。也就是被短路了。所以整個等效電路只有最前面的Rs。 這些可以用公式表達。當(dāng)你的頻率是10萬，或者很低0.1hz時，你看看那些公式，哪項是可以被忽略的。測得那就是那部分。 |
12樓2012-11-14 09:42:30
hw_zhong
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2樓2012-11-12 11:17:41
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3樓2012-11-12 17:17:33
yongdan.h
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【答案】應(yīng)助回帖
感謝參與，應(yīng)助指數(shù) +1
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首先要確定你的實驗體系，并不是所有的體系都能直接從阻抗的虛部直接求得電容，一般的傳統(tǒng)求電容的方法和等效電路有關(guān)。 用CV求電容，不知道你的掃描區(qū)間是在什么范圍內(nèi)，有沒有法拉第反應(yīng)的出現(xiàn)，如果有的話，CV是個連續(xù)過程，而阻抗的，你是用固定電位，然后掃頻率的么？如果是的話，這是一個不連續(xù)的過程。 這種方法求出的電容值，本身就會有不同的。 而且，阻抗求電容，傳統(tǒng)的講法就有CPE的行為，就是電容離散。實際上它是阻抗測定過程中的伴隨弊端，其中有內(nèi)阻。 不好意思羅列了很多，總的意思是，分析起來要看具體情況。 |
4樓2012-11-12 19:23:02
yongdan.h
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5樓2012-11-12 19:25:33
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6樓2012-11-12 19:27:49
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7樓2012-11-12 20:48:48
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8樓2012-11-13 14:54:46
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9樓2012-11-13 18:30:27
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10樓2012-11-13 19:09:47
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