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hhxxa金蟲 (正式寫手)
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[求助]
CV求的電容為什么比EIS求的電容要高 已有1人參與
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| CV在2mV/s下的比電容比EIS在0.01Hz下的比電容要高出一些。怎么解釋好。CV是利用積分面積求得,EIS電容是利用公式-1/2πfZ'm求得 |
木蟲 (小有名氣)

鐵桿木蟲 (著名寫手)
木蟲 (正式寫手)
木蟲 (小有名氣)
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首先要確定你的實(shí)驗(yàn)體系,并不是所有的體系都能直接從阻抗的虛部直接求得電容,一般的傳統(tǒng)求電容的方法和等效電路有關(guān)。 用CV求電容,不知道你的掃描區(qū)間是在什么范圍內(nèi),有沒有法拉第反應(yīng)的出現(xiàn),如果有的話,CV是個(gè)連續(xù)過程,而阻抗的,你是用固定電位,然后掃頻率的么?如果是的話,這是一個(gè)不連續(xù)的過程。 這種方法求出的電容值,本身就會(huì)有不同的。 而且,阻抗求電容,傳統(tǒng)的講法就有CPE的行為,就是電容離散。實(shí)際上它是阻抗測(cè)定過程中的伴隨弊端,其中有內(nèi)阻。 不好意思羅列了很多,總的意思是,分析起來(lái)要看具體情況。 |

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