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楚笑笑生銅蟲 (初入文壇)
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[求助]
求VASP操作過程怎么進行以及相關(guān)問題
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1. 先建立晶胞。然后設(shè)置參數(shù)優(yōu)化晶胞，然后找一套方案A使晶胞參數(shù)誤差較小。 2.用優(yōu)化好的結(jié)構(gòu)做一個真空層。那么做的這個真空層是否需要方案A優(yōu)化呢？ 3.然后向該體系放入吸附質(zhì)。再次使用方案A優(yōu)化，尋找最佳吸附位點。 過程是這樣的嗎？ 還有就是我的k去9X9X1，那么晶胞參數(shù)中a，b，c中c有很大的誤差，這時我該怎么做？ 我加入的吸附質(zhì)也需要方案A優(yōu)化嗎？ 吸附質(zhì)放入體系中需要改變k嗎？ 當(dāng)系統(tǒng)默認cutoff 是400ev的時候我取800ev為什么誤差比500ev大呢？ |
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hakuna
木蟲 (知名作家)
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【答案】應(yīng)助回帖
★ ★ ★ ★ ★ ★
感謝參與，應(yīng)助指數(shù) +1
楚笑笑生: 金幣+5 2013-01-01 02:03:54
csgt0: 金幣+1, 謝謝 2013-01-04 08:58:05
感謝參與，應(yīng)助指數(shù) +1
楚笑笑生: 金幣+5 2013-01-01 02:03:54
csgt0: 金幣+1, 謝謝 2013-01-04 08:58:05
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你發(fā)錯地方了，應(yīng)該發(fā)在第一原理的VASP版。 如果你是做催化的，上述基本路數(shù)是對的，表述不是那么標(biāo)準(zhǔn)。 首先，建立晶胞，優(yōu)化晶胞參數(shù)； 其次，根據(jù)優(yōu)化好的晶胞參數(shù)，截取表面，多少層自己定，預(yù)留真空層厚度要在10埃以上； 最后，加入吸附物，測試若干典型吸附位上的吸附能，確定優(yōu)勢吸附位點。 優(yōu)化晶胞參數(shù)時，測試不同K點，直到晶格參數(shù)不再變化...... 優(yōu)化吸附體系時，也需要測試K點...... 取出的表面和吸附體系需要優(yōu)化，根據(jù)情況，表面放開2-4層優(yōu)化即可.... 至于991K點時，a,b,c誤差很大，不知道你要干什么..... 能量截斷需要測試，每次都要收斂才好，理論上該值越大，計算精度越高，實際么并不總是如此，計算機的計算總是近似的....... |
2樓2012-12-31 19:33:44
楚笑笑生
銅蟲 (初入文壇)
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3樓2013-01-01 02:03:32
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