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z416203567銅蟲 (初入文壇)
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IBE刻蝕孔結(jié)構(gòu)不均勻問題
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我在對105nm的鋁進(jìn)行IBE刻蝕的時候,出現(xiàn)了結(jié)構(gòu)刻蝕不均勻的情況(結(jié)構(gòu)中間處刻透,但周圍沒刻透),請問這是什么原因? 結(jié)構(gòu)為:400nm寬,1600nm長的十字孔結(jié)構(gòu)。 |
薄膜材料的表征 | 薄膜材料和器件制備 |
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納米所刻的? 我們先假設(shè)IBE沒有問題。因為做的是變劑量,所以顯影之后會有顯透或者沒顯透的部分,或者是顯透或顯過的部分,或者這些情況都有。那么在IBE的刻蝕下,會呈現(xiàn)不同劑量下的圖形,存在很明顯的不均勻性。也就是說,有的刻過了,有的沒刻到。不知道你現(xiàn)在是不是這個現(xiàn)象?如果你只是有一部分圖形是如你所說,那部分圖形就是劑量小,沒有顯透的圖形。 如果是所有的圖形都像你說的那樣,那雖然不能排除光刻的原因,但就要考慮刻蝕的問題了。因為只有在光刻全部顯透,刻蝕不夠的情況下,才會出現(xiàn)全片都是你說的情況。 現(xiàn)在我們考慮IBE的刻蝕原理,離子束刻蝕,離子是不聚焦的,打出來的離子,會存在一定的散射角,這個角度有時候很大。因此IBE的工件臺是可以傾斜的。我們相像一下,如果片子不傾斜,那么在線條中間的刻蝕能量,就會比邊上大,中間會先刻蝕光,而線條邊緣由于光刻膠側(cè)壁的阻擋,受到的能量小,所以后刻蝕光。所以會通過傾斜片子來解決問題,而片子的傾斜角度,離子束的發(fā)散角,片子回正的時間,都要相互配合,否則對于精細(xì)線條刻蝕會有比較嚴(yán)重的不均勻。一般來說,IBE的刻蝕都是均勻的,工藝已經(jīng)調(diào)整到比較好的狀態(tài)的。像你這種情況,有可能是iIBE的工藝設(shè)定問題。其實一般來說,大家在設(shè)計的時候都會考慮過刻一下,即使襯底受到一些影響,也在設(shè)計之初考慮到這個因素,這樣線條的邊緣就可以保證刻透。如果對襯底被刻蝕不能接受,實際上應(yīng)該考慮RIE的金屬刻蝕,或者是做一層buffer。 |
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銅蟲 (初入文壇)
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