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z416203567銅蟲 (初入文壇)
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IBE刻蝕孔結(jié)構(gòu)不均勻問題
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我在對105nm的鋁進行IBE刻蝕的時候，出現(xiàn)了結(jié)構(gòu)刻蝕不均勻的情況（結(jié)構(gòu)中間處刻透，但周圍沒刻透），請問這是什么原因？ 結(jié)構(gòu)為：400nm寬，1600nm長的十字孔結(jié)構(gòu)。 |
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6樓2013-01-27 22:46:01
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【答案】應(yīng)助回帖
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yanhualover: 金幣+3, 謝謝提供如此詳盡的答復(fù)。期待更精彩。 2013-02-01 07:37:21
yanhualover: 金幣+3, 謝謝提供如此詳盡的答復(fù)。期待更精彩。 2013-02-01 07:37:21
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納米所刻的？ 我們先假設(shè)IBE沒有問題。因為做的是變劑量，所以顯影之后會有顯透或者沒顯透的部分，或者是顯透或顯過的部分，或者這些情況都有。那么在IBE的刻蝕下，會呈現(xiàn)不同劑量下的圖形，存在很明顯的不均勻性。也就是說，有的刻過了，有的沒刻到。不知道你現(xiàn)在是不是這個現(xiàn)象？如果你只是有一部分圖形是如你所說，那部分圖形就是劑量小，沒有顯透的圖形。 如果是所有的圖形都像你說的那樣，那雖然不能排除光刻的原因，但就要考慮刻蝕的問題了。因為只有在光刻全部顯透，刻蝕不夠的情況下，才會出現(xiàn)全片都是你說的情況。 現(xiàn)在我們考慮IBE的刻蝕原理，離子束刻蝕，離子是不聚焦的，打出來的離子，會存在一定的散射角，這個角度有時候很大。因此IBE的工件臺是可以傾斜的。我們相像一下，如果片子不傾斜，那么在線條中間的刻蝕能量，就會比邊上大，中間會先刻蝕光，而線條邊緣由于光刻膠側(cè)壁的阻擋，受到的能量小，所以后刻蝕光。所以會通過傾斜片子來解決問題，而片子的傾斜角度，離子束的發(fā)散角，片子回正的時間，都要相互配合，否則對于精細線條刻蝕會有比較嚴(yán)重的不均勻。一般來說，IBE的刻蝕都是均勻的，工藝已經(jīng)調(diào)整到比較好的狀態(tài)的。像你這種情況，有可能是iIBE的工藝設(shè)定問題。其實一般來說，大家在設(shè)計的時候都會考慮過刻一下，即使襯底受到一些影響，也在設(shè)計之初考慮到這個因素，這樣線條的邊緣就可以保證刻透。如果對襯底被刻蝕不能接受，實際上應(yīng)該考慮RIE的金屬刻蝕，或者是做一層buffer。 |
7樓2013-01-28 00:03:45
yswyx
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【答案】應(yīng)助回帖
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這個論斷太武斷了。 400nm的線條，光學(xué)顯微鏡完全無法觀察是否顯透，需要用電鏡。用了電鏡，如果是徹底沒顯透的情況，也是沒辦法看出來的，只能看出footing之類的殘留。即使是粗線條，如果是徹底沒顯透的情況，在光學(xué)顯微鏡下也是非常難觀察的。 如果樓主不是做的變劑量的光刻，光刻或刻蝕哪個出了問題，是很難說的。即使是變劑量光刻，樓主提供的信息也不夠完全，也排除不了光刻的問題，只是IBE刻蝕的局部均勻性問題可能性更大而已。而IBE的局部均勻性問題，是本身這個技術(shù)的特征，不是出了問題，而是樓主選擇的刻蝕方式是錯誤的。 |
8樓2013-01-28 00:18:20
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9樓2013-01-28 00:20:05
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10樓2013-01-28 08:20:44
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