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zheyi-1984銅蟲 (小有名氣)
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[求助]
緊急求助高斯掃勢能曲線(同分子中不同基團(tuán)之間的距離如何定義)
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如題,想做一個(gè)同一分子體系中勢能隨著兩個(gè)基團(tuán)間距離變化的曲線,比如說CH4中想要以CH基團(tuán)與另外3個(gè)H組成的基團(tuán)之間的距離作為鍵長變化量,然后這個(gè)距離定義為C原子與C-H鍵延長線與剩下的3個(gè)H形成的平面之間的相交點(diǎn)之間的距離。 本人是高斯菜鳥,只會(huì)做固定一個(gè)鍵的剛性掃描... 盼大家指教,能有舉例最好,不然提供下思路也行。。。實(shí)在無從下手 |
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木蟲 (正式寫手)
銅蟲 (小有名氣)
至尊木蟲 (著名寫手)
本人已永久離開小木蟲
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按照《調(diào)節(jié)平面分子間距的方法》(http://hi.baidu.com/sobereva/item/fd1854f98c4fd9d643c36acd)中的方法1獲得C在三個(gè)氫原子定義的平面上的投影點(diǎn),設(shè)為虛原子。然后掃描時(shí)就掃描C和虛原子之間的鍵長即可。 你也可以用此文的方法2讓三個(gè)H所在的平面與XY平面平行,然后讓這三個(gè)氫的Z坐標(biāo)用同一個(gè)變量表示,然后然后掃描這個(gè)變量。 |
銅蟲 (小有名氣)
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