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[求助]
請教 xrd 表征摻雜樣品 峰位移動由替代式轉為間隙式摻雜的峰位變化規(guī)律
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C替代O ，大離子替代小離子。 摻雜濃度低時，遵循替代式摻雜，由布拉格公式衍射峰往低角度偏移；晶胞參數(shù)變大，晶胞變大； 摻雜濃度高時，替代式摻雜，衍射峰往高角度偏移；晶胞參數(shù)變小，晶胞變小； 我這種理解不知道有沒有問題，另外，理論上我覺得行的通，但是在摻雜濃度高時 峰位的變化規(guī)律 沒有找到相應的文獻佐證，還請推薦過量摻雜時（間隙摻雜時）關于xrd討論的文獻，謝謝。會繼續(xù)追加金幣。 |
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鷹羽龍
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3樓2013-02-18 09:46:14
tt.yao
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2樓2013-02-18 09:29:25
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【答案】應助回帖
★ ★
感謝參與，應助指數(shù) +1
yanhualover: 金幣+2, 精彩回復，值得鼓勵。 2013-02-19 06:32:04
感謝參與，應助指數(shù) +1
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這是不是可以從另一個角度來看，要用到固體物理中的相圖概念。 你的摻雜，是引入了一個新的化學相，比如，某種金屬的氧化物與碳化物，他們的特征峰不盡相同，因此，這里會觀察到兩相，可以分峰擬合。在摻雜較低時，作為替位或填隙缺陷，宏觀上，不影響整體的晶向，比如Ga摻雜ZnO，在Ga 占2wt.%的質量分數(shù)時，只有ZnO （002）和（004）的相位。摻雜較高時，會造成兩相分離，Ga2O3的相位出現(xiàn)。 您的情況，要看兩種化合物的特征峰，然后用相分離來分析。 |
4樓2013-02-19 02:39:05
還請指正啦 5樓2013-02-19 17:28:36
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