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請教 xrd 表征摻雜樣品 峰位移動由替代式轉為間隙式摻雜的峰位變化規(guī)律
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C替代O ,大離子替代小離子。 摻雜濃度低時,遵循替代式摻雜,由布拉格公式衍射峰往低角度偏移;晶胞參數(shù)變大,晶胞變大; 摻雜濃度高時,替代式摻雜,衍射峰往高角度偏移;晶胞參數(shù)變小,晶胞變; 我這種理解不知道有沒有問題,另外,理論上我覺得行的通,但是在摻雜濃度高時 峰位的變化規(guī)律 沒有找到相應的文獻佐證,還請推薦過量摻雜時(間隙摻雜時)關于xrd討論的文獻,謝謝。會繼續(xù)追加金幣。 |
榮譽版主 (知名作家)
愛思考的小強

木蟲 (著名寫手)
金蟲 (著名寫手)
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這是不是可以從另一個角度來看,要用到固體物理中的相圖概念。 你的摻雜,是引入了一個新的化學相,比如,某種金屬的氧化物與碳化物,他們的特征峰不盡相同,因此,這里會觀察到兩相,可以分峰擬合。在摻雜較低時,作為替位或填隙缺陷,宏觀上,不影響整體的晶向,比如Ga摻雜ZnO,在Ga 占2wt.%的質(zhì)量分數(shù)時,只有ZnO (002)和(004)的相位。摻雜較高時,會造成兩相分離,Ga2O3的相位出現(xiàn)。 您的情況,要看兩種化合物的特征峰,然后用相分離來分析。 |
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