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Angusskanal木蟲 (小有名氣)
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請(qǐng)問CVD法長(zhǎng)石墨烯為什么不能長(zhǎng)在SiO2/Si上？
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如題，看了很多文獻(xiàn)，都是長(zhǎng)在金屬上，再從金屬轉(zhuǎn)移到SiO2/Si上，沒說為什么不直接長(zhǎng)在SiO2/Si上。另外，如果用PVD法呢？ [ Last edited by Angusskanal on 2013-3-19 at 23:06 ] |
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2樓2013-03-19 23:53:58
Angusskanal
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5樓2013-03-22 02:10:58
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【答案】應(yīng)助回帖
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Angusskanal: 金幣+3, ★★★很有幫助 2013-04-16 14:23:53
Angusskanal: 金幣+3, ★★★很有幫助 2013-04-16 14:23:53
| CVD方法在絕緣基底上制備石墨烯是一個(gè)非常重要的方向，相比于金屬基底上可以避免轉(zhuǎn)移帶來的碎裂和雜質(zhì)等問題。近年來，在這方面的工作還是挺多的。我們組有個(gè)師兄主要就是做這個(gè)，已經(jīng)發(fā)表了一篇JACS和一篇Adv Mater，主要就是關(guān)注在絕緣基底比如SiC和SiO2上生長(zhǎng)高質(zhì)量的石墨烯。但是，和金屬催化劑生長(zhǎng)有所不同，絕緣基底需要經(jīng)過高溫退火和氧輔助以增加成核位點(diǎn)，而且由于碳在絕緣基底上很難吸附所以生長(zhǎng)時(shí)間非常長(zhǎng)才能得到石墨烯。“Oxygen-Aided Synthesis of Polycrystalline Graphene on Silicon Dioxide Substrates”這是他JACS上的文章題目，希望對(duì)你有用。 |
6樓2013-04-16 12:19:21
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9樓2015-05-26 09:49:23
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10樓2015-05-26 09:50:05
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