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小錢新蟲 (小有名氣)
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[求助]
CVD法硅片上能生長(zhǎng)石墨烯嗎
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| 本人剛做石墨烯的制備，因?yàn)橄胝乙环N與石墨烯熱膨脹系數(shù)相當(dāng)?shù)囊r底，請(qǐng)問硅片上能長(zhǎng)石墨烯嗎？ |
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【答案】應(yīng)助回帖
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感謝參與，應(yīng)助指數(shù) +1
小錢: 金幣+3, ★★★很有幫助 2013-10-15 10:02:58
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Si上生長(zhǎng)石墨烯前幾年是石墨烯材料生長(zhǎng)的一個(gè)小熱點(diǎn)，理論和實(shí)驗(yàn)結(jié)果都證明這個(gè)方法可行。 但是，整體來說，Si上石墨烯的缺陷很多，這是由于碳源氣體中的C原子先和Si原子結(jié)合成SiC緩沖層，然后再生長(zhǎng)石墨烯，這樣石墨烯的形貌就由SiC緩沖層決定，而Si上生長(zhǎng)SiC是國(guó)際難題，都沒有更好的辦法，表面比較差，導(dǎo)致石墨烯不可避免的帶來很多缺陷。我曾經(jīng)生長(zhǎng)了10多爐Si上石墨烯，最好的2D峰半寬是90cm-1，文獻(xiàn)中最好是60cm-1多，都不如SiC升華和CVD外延，所以從去年至今國(guó)際上都不怎么做了，這個(gè)方法已經(jīng)過時(shí)了。 中科院化學(xué)所提出在Si上先外延Si3N4，再用CVD法生長(zhǎng)石墨烯，這個(gè)方法可行，2D峰半寬最小達(dá)到65cm-1 |
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小錢4樓2013-10-14 20:23:49
小錢
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6樓2013-10-18 18:16:13
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9樓2014-11-26 10:19:59
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10樓2014-11-26 11:02:10
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