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CVD法硅片上能生長石墨烯嗎
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| 本人剛做石墨烯的制備，因為想找一種與石墨烯熱膨脹系數(shù)相當?shù)囊r底，請問硅片上能長石墨烯嗎？ |
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 wulishi8在碳材料和其他專業(yè)問題的回復 |
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送紅花一朵 5樓2013-10-15 10:02:49
wulishi8
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2樓2013-10-12 18:35:29
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【答案】應助回帖
★ ★ ★
感謝參與，應助指數(shù) +1
小錢: 金幣+3, ★★★很有幫助 2013-10-15 10:02:58
感謝參與，應助指數(shù) +1
小錢: 金幣+3, ★★★很有幫助 2013-10-15 10:02:58
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Si上生長石墨烯前幾年是石墨烯材料生長的一個小熱點，理論和實驗結(jié)果都證明這個方法可行。 但是，整體來說，Si上石墨烯的缺陷很多，這是由于碳源氣體中的C原子先和Si原子結(jié)合成SiC緩沖層，然后再生長石墨烯，這樣石墨烯的形貌就由SiC緩沖層決定，而Si上生長SiC是國際難題，都沒有更好的辦法，表面比較差，導致石墨烯不可避免的帶來很多缺陷。我曾經(jīng)生長了10多爐Si上石墨烯，最好的2D峰半寬是90cm-1，文獻中最好是60cm-1多，都不如SiC升華和CVD外延，所以從去年至今國際上都不怎么做了，這個方法已經(jīng)過時了。 中科院化學所提出在Si上先外延Si3N4，再用CVD法生長石墨烯，這個方法可行，2D峰半寬最小達到65cm-1 |
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4樓2013-10-14 20:23:49
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