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CIGS太陽能電池非真空硒化幾點(diǎn)討論
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大家有沒有人做過CIGS電池預(yù)制層后硒化用非真空法硒化的？我有幾點(diǎn)疑問，想跟大家討論一下，歡迎大家來討論。 1，非真空硒化相對(duì)于真空硒化有哪些優(yōu)點(diǎn)？ 2，真空室中通入惰性氣體（N2，Ar）后，硒源的飽和蒸汽壓與真空中一樣嗎？非真空硒化能夠抑制In2Se等揮發(fā)相的揮發(fā)嗎？ 我認(rèn)為，真空中和惰性氣體中硒的飽和蒸汽壓應(yīng)該是一樣的，而且非真空硒化也不能抑制In2Se的揮發(fā)。希望大家能給點(diǎn)建議。 3，為什么在Ar氣氛中硒化薄膜結(jié)晶度和晶粒尺寸增大？而且Ga的分布更加均勻？ 下面是我在文獻(xiàn)《Preparation and characterization of CuIn 1x Ga x Se 2 thin films obtained by sequential evaporations and different selenization processes》（見附件）的截圖。 如圖1所示，Ar氣氛硒化的（112）峰半高寬減小，峰強(qiáng)增大。這意味著Ar氣氛硒化樣品結(jié)晶度和晶粒尺寸增大。而且（112）峰右移，說明有更多的Ga擴(kuò)散進(jìn)入薄膜形成CIGS，說明在Ar氣氛硒化Ga擴(kuò)散更加均勻。 如圖2所示，在真空中硒化薄膜呈菜花狀生長，而Ar氣氛硒化薄膜生長要好得多。 哪位大俠能夠從機(jī)理上幫忙解釋一下這些現(xiàn)象？ 真空和Ar氣中硒化CIGS薄膜的XRD圖.png SEM圖.png [ 來自科研家族 新能源家族 ] |
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2013-03-25 18:36:41, 484.26 K
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