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sunshineboy_

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[交流] CIGS太陽(yáng)能電池非真空硒化幾點(diǎn)討論

大家有沒(méi)有人做過(guò)CIGS電池預(yù)制層后硒化用非真空法硒化的？我有幾點(diǎn)疑問(wèn)，想跟大家討論一下，歡迎大家來(lái)討論。
1，非真空硒化相對(duì)于真空硒化有哪些優(yōu)點(diǎn)？
2，真空室中通入惰性氣體（N2，Ar）后，硒源的飽和蒸汽壓與真空中一樣嗎？非真空硒化能夠抑制In2Se等揮發(fā)相的揮發(fā)嗎？
我認(rèn)為，真空中和惰性氣體中硒的飽和蒸汽壓應(yīng)該是一樣的，而且非真空硒化也不能抑制In2Se的揮發(fā)。希望大家能給點(diǎn)建議。
3，為什么在Ar氣氛中硒化薄膜結(jié)晶度和晶粒尺寸增大？而且Ga的分布更加均勻？
下面是我在文獻(xiàn)《Preparation and characterization of CuIn 1x Ga x Se 2 thin films obtained by sequential evaporations and different selenization processes》（見(jiàn)附件）的截圖。
如圖1所示，Ar氣氛硒化的（112）峰半高寬減小，峰強(qiáng)增大。這意味著Ar氣氛硒化樣品結(jié)晶度和晶粒尺寸增大。而且（112）峰右移，說(shuō)明有更多的Ga擴(kuò)散進(jìn)入薄膜形成CIGS，說(shuō)明在Ar氣氛硒化Ga擴(kuò)散更加均勻。
如圖2所示，在真空中硒化薄膜呈菜花狀生長(zhǎng)，而Ar氣氛硒化薄膜生長(zhǎng)要好得多。

哪位大俠能夠從機(jī)理上幫忙解釋一下這些現(xiàn)象？
真空和Ar氣中硒化CIGS薄膜的XRD圖.png

SEM圖.png

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附件 1 : PreparationandcharacterizationofCuIn1-xGaxSe2thinfilmsobtainedbysequentialevaporationsanddifferentselenizationprocesses.pdf

2013-03-25 18:36:41, 484.26 K

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1樓 2013-03-25 18:57:42

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5樓: Originally posted by 小王子晨光 at 2013-03-28 12:44:49
我認(rèn)為在不同的氛圍條件下，特別是Se的energy會(huì)很不同�？赡軙�(huì)導(dǎo)致薄膜內(nèi)元素的從新分布。這個(gè)問(wèn)題比較復(fù)雜，但是有一點(diǎn)可以肯定，對(duì)In揮發(fā)是有影響的。

對(duì)In的揮發(fā)有什么影響?又是怎么影響的呢?

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7樓2013-03-28 21:06:06

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這個(gè)比較復(fù)雜，我沒(méi)坐過(guò)非真空的，不過(guò)有幾點(diǎn)可以考慮
非真空Ar在高溫下對(duì)膜表面的沖擊
非真空加熱的表面受熱和真空不一樣，就是說(shuō)熱傳導(dǎo)到膜上的過(guò)程不是很一樣
對(duì)In揮發(fā)卻是有影響
實(shí)驗(yàn)的重復(fù)性也要考慮

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4樓2013-03-28 09:41:15

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sunshineboy_: 金幣+1 2013-03-28 21:02:52

我認(rèn)為在不同的氛圍條件下，特別是Se的energy會(huì)很不同�？赡軙�(huì)導(dǎo)致薄膜內(nèi)元素的從新分布。這個(gè)問(wèn)題比較復(fù)雜，但是有一點(diǎn)可以肯定，對(duì)In揮發(fā)是有影響的。

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5樓2013-03-28 12:44:49

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引用回帖:

4樓: Originally posted by zemix at 2013-03-28 09:41:15
這個(gè)比較復(fù)雜，我沒(méi)坐過(guò)非真空的，不過(guò)有幾點(diǎn)可以考慮
非真空Ar在高溫下對(duì)膜表面的沖擊
非真空加熱的表面受熱和真空不一樣，就是說(shuō)熱傳導(dǎo)到膜上的過(guò)程不是很一樣
對(duì)In揮發(fā)卻是有影響
實(shí)驗(yàn)的重復(fù)性也要考慮

對(duì)In的揮發(fā)有什么影響呢?為什么呢?

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6樓2013-03-28 21:04:51

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