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[求助]
缺陷形成能 已有1人參與
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缺陷形成能的計(jì)算公式為：∆Ef= ∆Etot (defect) - ∆Etot (pure) - ni Ei 式中，∆Ef表示缺陷形成能；∆Etot(defect)表示存在缺陷的體系總能量；∆Etot(pure)表示完整晶胞的體系總能量；ni表示缺陷原子個(gè)數(shù)，Ei表示缺陷的單個(gè)原子勢(shì)能。 請(qǐng)教三個(gè)問(wèn)題： 1. 表示缺陷形成能∆Ef的絕對(duì)值越小是不是表示越容易形成； 2. 表示缺陷形成能∆Ef正負(fù)性表示什么現(xiàn)象，比如為正的時(shí)候是吸熱還是放熱； 3. ni表示的是缺陷的原子個(gè)數(shù)，是不是固溶為正號(hào)，空位為負(fù)號(hào)？ |
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木蟲(chóng) (正式寫(xiě)手)
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2樓2013-03-26 09:17:00
3樓2014-01-05 15:52:25
4樓2014-01-05 16:01:35
【答案】應(yīng)助回帖
★ ★
franch: 金幣+2, 鼓勵(lì)交流。 2014-01-06 22:09:21
franch: 金幣+2, 鼓勵(lì)交流。 2014-01-06 22:09:21
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1. 表示缺陷形成能∆Ef的絕對(duì)值越小是不是表示越容易形成； 2. 表示缺陷形成能∆Ef正負(fù)性表示什么現(xiàn)象，比如為正的時(shí)候是吸熱還是放熱； 3. ni表示的是缺陷的原子個(gè)數(shù)，是不是固溶為正號(hào)，空位為負(fù)號(hào)？ 按照您給出的公式，如果∆Ef為負(fù)，表示為放熱過(guò)程，則體系是穩(wěn)定的，也就是說(shuō)，絕對(duì)值越大，體系越容易形成，第三個(gè)問(wèn)題我不知道，以上個(gè)人經(jīng)驗(yàn)，希望對(duì)您有幫助 |
5樓2014-01-06 13:19:36
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