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缺陷形成能 已有1人參與
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缺陷形成能的計算公式為:∆Ef= ∆Etot (defect) - ∆Etot (pure) - ni Ei 式中,∆Ef表示缺陷形成能;∆Etot(defect)表示存在缺陷的體系總能量;∆Etot(pure)表示完整晶胞的體系總能量;ni表示缺陷原子個數(shù),Ei表示缺陷的單個原子勢能。 請教三個問題: 1. 表示缺陷形成能∆Ef的絕對值越小是不是表示越容易形成; 2. 表示缺陷形成能∆Ef正負性表示什么現(xiàn)象,比如為正的時候是吸熱還是放熱; 3. ni表示的是缺陷的原子個數(shù),是不是固溶為正號,空位為負號? |
木蟲 (正式寫手)



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