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月下冰魂木蟲 (正式寫手)
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[求助]
GIDL DIBL 區(qū)別
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對于MOS器件尺寸減小，會帶來短溝道效應(yīng)。其中就有GIDL （gate induced drain leakage）和 DIBL（drain induced barrier lowering）。不知道在分析器件性能的時候，I_V曲線出現(xiàn)哪種情況對應(yīng)GIDL，哪種對應(yīng)DIBL呢？ 要是有圖解就更好了，謝謝。 |
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月下冰魂
木蟲 (正式寫手)
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蔣青松: 金幣+1, 鼓勵交流 2013-04-06 17:35:15
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自己算是弄懂了哈，分享哈。 GIDL：gate induced drain leakage，柵致漏極泄漏。 隨著柵極電壓的增加，載流子溫度升高，獲得的速度增加，當(dāng)能量達(dá)到一定時，就會使得溝道載流子穿過柵極，形成柵極漏電。在IV曲線中表現(xiàn)為轉(zhuǎn)移曲線下，在關(guān)斷狀態(tài)，Vgs 越大，關(guān)斷的漏電流反而增加。這種效應(yīng)不屬于短溝道效應(yīng)。 DIBL：drain induced barrier lowering, 漏致勢壘降低（或漏極感應(yīng)勢壘降低）。當(dāng)MOS溝道減小時，S/D之間距離減小，當(dāng)Vd增大到一定時，電力線不僅會穿過D區(qū)，還會穿過S區(qū)，使得S，D勢壘降低，并產(chǎn)生從S到D的漏電流。在IV曲線中，表現(xiàn)為亞閾值斜率的增加，閾值電壓的降低，Id的增加，使得器件難以關(guān)斷。 |
2樓2013-04-05 14:56:36
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