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月下冰魂木蟲 (正式寫手)
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[求助]
GIDL DIBL 區(qū)別
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對(duì)于MOS器件尺寸減小,會(huì)帶來短溝道效應(yīng)。其中就有GIDL (gate induced drain leakage)和 DIBL(drain induced barrier lowering)。不知道在分析器件性能的時(shí)候,I_V曲線出現(xiàn)哪種情況對(duì)應(yīng)GIDL,哪種對(duì)應(yīng)DIBL呢? 要是有圖解就更好了,謝謝。 |

木蟲 (正式寫手)
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自己算是弄懂了哈,分享哈。 GIDL:gate induced drain leakage,柵致漏極泄漏。 隨著柵極電壓的增加,載流子溫度升高,獲得的速度增加,當(dāng)能量達(dá)到一定時(shí),就會(huì)使得溝道載流子穿過柵極,形成柵極漏電。在IV曲線中表現(xiàn)為轉(zhuǎn)移曲線下,在關(guān)斷狀態(tài),Vgs 越大,關(guān)斷的漏電流反而增加。這種效應(yīng)不屬于短溝道效應(yīng)。 DIBL:drain induced barrier lowering, 漏致勢(shì)壘降低(或漏極感應(yīng)勢(shì)壘降低)。當(dāng)MOS溝道減小時(shí),S/D之間距離減小,當(dāng)Vd增大到一定時(shí),電力線不僅會(huì)穿過D區(qū),還會(huì)穿過S區(qū),使得S,D勢(shì)壘降低,并產(chǎn)生從S到D的漏電流。在IV曲線中,表現(xiàn)為亞閾值斜率的增加,閾值電壓的降低,Id的增加,使得器件難以關(guān)斷。 |

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