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babeface918銅蟲 (初入文壇)
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[求助]
關(guān)于晶格失配,急求。!
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晶格失配度高達(dá)80%左右的材料能否用外延法生長在一起? 同種材料不同晶面之間,80%的失配度理論上能否取向生長在同一個面上? 還有,什么叫晶格失配釋放?? 提的問題可能有點小白,完全不是半導(dǎo)體外延生長這塊的,對于晶格失配完全外行。但是現(xiàn)在急求這方面的信息,請大神幫忙解答!感激不盡!。! |
基本知識 |

金蟲 (小有名氣)

至尊木蟲 (著名寫手)
| 生長在一起肯定是沒問題了,但是會在生長界面產(chǎn)生較大的應(yīng)力,因此外延生長出來的薄膜的晶體質(zhì)量會較差,但隨著生長厚度的增加,后來生長出來的薄膜的質(zhì)量會漸漸變好,因為前期生長的材料會不斷充當(dāng)緩沖層,這樣晶格失配對于后期長出的材料來說就因為前面的緩沖作用而產(chǎn)生晶格失配減緩或者說釋放的效果。當(dāng)然晶格失配小的材料之間也未必就能生長出晶體質(zhì)量很好的膜,還要看實驗條件中的生長參數(shù)。所以基底選擇固然重要,但對于生長過程中可能有影響的各個參數(shù)的把握也都很重要。 |

銅蟲 (初入文壇)

至尊木蟲 (著名寫手)

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