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關(guān)于光學性質(zhì)計算的若干問題討論
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① 光學晶體是各向異性的，OUTCAR得到的矩陣，實部虛部為什么每一行都要取平均呢，這樣的做的物理意義是什么？ ②從OUTCAR的介電常數(shù)矩陣通過處理能否得到非線性光學相關(guān)系數(shù)？公式在哪里能找得到？ 謝謝各位參與討論 |
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 vasp光學 |
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2樓2013-04-16 11:42:43
3樓2013-04-16 12:26:33
★ ★ ★
小木蟲: 金幣+0.5, 給個紅包，謝謝回帖
chenxin1992: 金幣+2 2013-04-18 10:45:32
小木蟲: 金幣+0.5, 給個紅包，謝謝回帖
chenxin1992: 金幣+2 2013-04-18 10:45:32
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取平均的原因可能是為了便于與實驗結(jié)果相比較。實驗上如果用的是粉末樣品，光源是非線偏振光的話，電場強度方向沿哪個晶軸的都有，最終結(jié)果應(yīng)該是平均值。 如果用的是單晶樣品，取平均的時候就有區(qū)別了。我見過的一篇關(guān)于六角晶系晶體光學性質(zhì)的文獻中，針對電場強度平行于c軸和垂直于c軸進行了分別討論。 垂直于C軸時 Epsilon = 0.5 * ( Eps_xx + Eps_yy )；而平行于C軸時 Epsilon = Eps_zz。 如果是二維材料的話，可能只需對Eps_xx + Eps_yy取平均， Eps_zz幾乎可以忽略不計。 |
4樓2013-04-17 11:37:02
★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
小木蟲: 金幣+0.5, 給個紅包，謝謝回帖
chenxin1992: 金幣+5 2013-04-18 10:45:40
franch: 金幣+2, 謝謝回帖交流，， 2013-04-22 21:13:19
小木蟲: 金幣+0.5, 給個紅包，謝謝回帖
chenxin1992: 金幣+5 2013-04-18 10:45:40
franch: 金幣+2, 謝謝回帖交流，， 2013-04-22 21:13:19
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還有，有個問題想請教下樓主。 vasp wilki上給出的例子中，計算動態(tài)介電矩陣有三種近似標準。在不考慮局域場效應(yīng)的情況下，介電矩陣寫在OUTCAR中，更詳細的寫在vasprun.xml中。一般vasprun.xml中的數(shù)據(jù)密集度很大，和INCAR中的NEDOS有關(guān)，可以直接拿來畫圖。 但是在考慮局域場效應(yīng)的情況下，介電矩陣只寫在OUTCAR中，不同頻率間隔很大，不適合拿來做圖。 不知可有參數(shù)可以指定頻率范圍和步長？ 還有一個就是在第二種情況下，OUTCAR中的介電矩陣是“INVERSE MACROSCOPIC DIELECTRIC TENSOR (including local field effects in RPA (Hartree))"，也就是一個逆矩陣，是不是要手動求逆之后才能得到正介電矩陣？看例子上直接當作正介電矩陣用了。 [ Last edited by liqizuiyang on 2013-4-17 at 11:48 ] |
5樓2013-04-17 11:47:34
6樓2013-04-18 10:47:09
7樓2013-04-18 14:16:56
8樓2013-04-22 19:26:34
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