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[交流]
關(guān)于光學(xué)性質(zhì)計(jì)算的若干問題討論
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① 光學(xué)晶體是各向異性的,OUTCAR得到的矩陣,實(shí)部虛部為什么每一行都要取平均呢,這樣的做的物理意義是什么? ②從OUTCAR的介電常數(shù)矩陣通過處理能否得到非線性光學(xué)相關(guān)系數(shù)?公式在哪里能找得到? 謝謝各位參與討論 |
vasp光學(xué) |
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還有,有個(gè)問題想請(qǐng)教下樓主。 vasp wilki上給出的例子中,計(jì)算動(dòng)態(tài)介電矩陣有三種近似標(biāo)準(zhǔn)。在不考慮局域場(chǎng)效應(yīng)的情況下,介電矩陣寫在OUTCAR中,更詳細(xì)的寫在vasprun.xml中。一般vasprun.xml中的數(shù)據(jù)密集度很大,和INCAR中的NEDOS有關(guān),可以直接拿來畫圖。 但是在考慮局域場(chǎng)效應(yīng)的情況下,介電矩陣只寫在OUTCAR中,不同頻率間隔很大,不適合拿來做圖。 不知可有參數(shù)可以指定頻率范圍和步長(zhǎng)? 還有一個(gè)就是在第二種情況下,OUTCAR中的介電矩陣是“INVERSE MACROSCOPIC DIELECTRIC TENSOR (including local field effects in RPA (Hartree))",也就是一個(gè)逆矩陣,是不是要手動(dòng)求逆之后才能得到正介電矩陣?看例子上直接當(dāng)作正介電矩陣用了。 [ Last edited by liqizuiyang on 2013-4-17 at 11:48 ] |
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取平均的原因可能是為了便于與實(shí)驗(yàn)結(jié)果相比較。實(shí)驗(yàn)上如果用的是粉末樣品,光源是非線偏振光的話,電場(chǎng)強(qiáng)度方向沿哪個(gè)晶軸的都有,最終結(jié)果應(yīng)該是平均值。 如果用的是單晶樣品,取平均的時(shí)候就有區(qū)別了。我見過的一篇關(guān)于六角晶系晶體光學(xué)性質(zhì)的文獻(xiàn)中,針對(duì)電場(chǎng)強(qiáng)度平行于c軸和垂直于c軸進(jìn)行了分別討論。 垂直于C軸時(shí) Epsilon = 0.5 * ( Eps_xx + Eps_yy );而平行于C軸時(shí) Epsilon = Eps_zz。 如果是二維材料的話,可能只需對(duì)Eps_xx + Eps_yy取平均, Eps_zz幾乎可以忽略不計(jì)。 |
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申請(qǐng)回稿延期一個(gè)月,編輯同意了。但系統(tǒng)上的時(shí)間沒變,給編輯又寫郵件了,沒回復(fù)
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wangf9518 2026-03-17 | 4/200 |
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[考研] 考研化學(xué)學(xué)碩調(diào)劑,一志愿985 +4 | 張vvvv 2026-03-15 | 6/300 |
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[考研] 085601求調(diào)劑 +4 | Du.11 2026-03-16 | 4/200 |
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[考博] 26申博 +4 | 八6八68 2026-03-16 | 4/200 |
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[考研] 材料工程專碩274一志愿211求調(diào)劑 +6 | 薛云鵬 2026-03-15 | 6/300 |
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[考研] 復(fù)試調(diào)劑 +3 | 呼呼?~+123456 2026-03-14 | 3/150 |
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